金属表面技術

最近のCVD研究動向

杉山幸三

1984 年 35 巻 12 号 p. 538-546
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.538

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (3759K)
CVD法で作成したリチウム電池用TiS₂正極材料

兼堀恵一, 梶田耕三, 宮内克己, 工藤徹一

1984 年 35 巻 12 号 p. 547-553
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.547

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (2788K)
光ファイバの製造方法

田中豪太郎, 松井和則

1984 年 35 巻 12 号 p. 554-561
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.554

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (983K)
プラズマCVDによるアモルファス太陽電池

桑野幸徳, 樽井久樹

1984 年 35 巻 12 号 p. 562-571
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.562

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (3812K)
イオン化蒸着を中心としたダイヤモンド状薄膜

難波義捷

1984 年 35 巻 12 号 p. 572-578
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.572

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (1222K)
CVD法によるSiCおよびSi₃N₄の合成と応用

松尾秀逸, 長島秀夫

1984 年 35 巻 12 号 p. 579-583
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.579

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (2628K)
チタン酸アルキルエステルの気相分解を利用するアナタス, ルチル, ブルッカイト薄膜の選択成長

高橋康隆, 若山聡, 小木曽昭文, 杉山幸三

1984 年 35 巻 12 号 p. 584-589
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.584

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

The vapor deposition of TiO₂ films by the decomposition of ethyl, isopropyl, n-butyl and t-butyl titanates was investigated. The deposits obtained at optimum conditions from the above complexes were identified respectively, as rutile, anatase, anatase containing a small quantity of rutile, and almost pure brookite. Thus any of the crystalline modifications of TiO₂ can be obtained by selecting the appropriate complex and decomposition conditions. Tentative decomposition schemes are presented and discussed.

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (772K)
鋼管内壁へのTiNおよびTiCの耐食CVDコーティング

伊藤秀章, 権田正夫, 杉山幸三

1984 年 35 巻 12 号 p. 590-594
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.590

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

Titanium nitride and carbide films were coated onto the inner walls of carbon steel or stainless steel tubes by chemical vapor deposition. The optimum deposition temperature and the reaction time to obtain a TiN film of 10μm thick were 1050°C and 60min, respectively. The film thickness distribution along the axial direction of the tubes (inside diameter: 6-10mm) was highly dependent on the flow rate of the reactant gas (TiCl₄+N₂+H₂). At a linear flow rate of 80cm/sec, a relatively uniform TiN film was deposited over a length of 8cm along the axial direction, even in which a maximum of the film thickness appeared at the inlet side of the tube. TiN and TiC films, which deposited on both steel substrates, showed fine-grained microstructures with some extent of preferred orientation. These films were adherent to the steel substrates, and no cracks or pin-holes were observed even after dipping corrosion tests in various strong acids.

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (1469K)
直流プラズマCVD法によるチタン化合物膜の形成

舟木義行, 松沢正, 黄燕清

1984 年 35 巻 12 号 p. 595-599
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.595

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

Titanium compound films (TiC, TiN and TiC_xN_y) were prepared at about 823K in plasma produced by DC glow discharge, with titanium tetrachloride as the vapor source and hydrogen, nitrogen and, methane as reactant gases. The phase of each compound film was confirmed by X-ray diffraction, and each pattern showed a strongly preferred orientation of (200), the same as that of PVD films. Microhardness was 3000 for TiC, 1800 for TiN and 2000 for TiC_xN_y. Comparison of the spectral reflectance curves showed that TiN also had almost the same color as PVD film.

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (633K)
CVDによるピッチ系炭素繊維上へのAlコーティング

鈴木孝和, 梅原博行

1984 年 35 巻 12 号 p. 600-602
発行日: 1984/12/01
公開日: 2009/10/30

DOIhttps://doi.org/10.4139/sfj1950.35.600

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (769K)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）