1) X線回折によれば640℃基板でのスパッタSiC膜はアモルファス状であり, 1000℃, 1200℃では (111) 面に配向したβ-SiCの回折パターンを示した.
2) スパッタSiC膜の微少硬度値はx線回折パターン同様C
2H
2分圧依存性を示しH
v : 1500~3000kg/mm
2程度であった.
3) スパッタSiC膜の内部応力は圧縮性で, その値σは基板温度依存性を示し, 640℃基板ではσ : 9~15kg/mm
2, 1000℃, 1200℃基板ではσ : 1~2kg/mm
2であった.
4) ESCAによるスパッタSiC膜のSiとのCの組成比は1000℃基板でC
2H
2分圧5×10
-5~2×10
-4Torrの範囲においてSi
xC
1-xでX : 0.69~0.53迄変化した.なおESCAデータの作成にあたっては電総研材料部高温電子材料研究室のご援助を得たので, 記して感謝申し上げる.
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