巻号一覧
31 巻, 4 号
選択された号の論文の6件中1～6を表示しています
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上村 隆, 大坪 徹, 相内 進1988 年 31 巻 4 号 p. 253-258
発行日: 1988/04/20
公開日: 2009/09/29
ジャーナル フリーDue to the recent trend toward the use of thinner underlayers in VLSI chips, more precise endpoint monitoring is needed for etching processes. An endpoint monitoring method has been developed, which uses scribe-line detection through direct observation of film thickness. This procedure determines the endpoint by detecting the reflection intensity from scribe-lines on a wafer surface during etching processes. The special feature of this system is to detect the intensity of reflected light with a continuous spectrum, which uses a tungsten-lamp for irradiation, and an ND filter and a CCD sensor for detection. For Poly-Si etching, the detection of reflected light with a continuous spectrum (wave length : 350 to 1050 nm) from Poly-Si is able to decide two points of residual thickness (600±50 Å, 200±50 Å), which are very close to the endpoint.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (695K) -
寺田 啓子, 岡野 達雄, 辻 泰1988 年 31 巻 4 号 p. 259-264
発行日: 1988/04/20
公開日: 2009/09/29
ジャーナル フリーThe conductance modulation method has three advantages useful for the measurement of pumping speed in ultrahigh vacuum region. First, the flow rate of gas for the speed measurement is not required if the rate is constant. Secondly, the absolute value of pressure in the test dome is also not necessary if the sensitivity of pressure gauge is unchanged during the measurement. Thirdly, the effects of the positions of pressure gauge and gas inlet in the test dome are relatively small.
The orifice system composed of three discs is used as the variable conductance which has two definit values of conductance determined by the Monte Carlo calculation. One of the two values can be selected from outside of the ultrahigh vacuum chamber. The pumping speed of a combination pump made of a sputter ion pump and a titanium getter pump can be successfuly measured down to 10-7 Pa for nitrogen and hydrogen.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1040K) -
坂井 秀男, 吉見 武夫1988 年 31 巻 4 号 p. 265-270
発行日: 1988/04/20
公開日: 2009/09/29
ジャーナル フリー半導体集積回路は, LSI (Large Scale Integration) から超LSIへと進歩してきた.集積度でメガビット, 微細加工レベルでサブミクロン時代に突入し, これを実現するためには, デバイス技術, プロセス技術で今までにも増しての技術革新が不可欠とされている.反面, 高集積化, 高機能化が進むと信頼性を確保することが難かしくなる.LSI 製造プロセスにおいては, 高集積, 高機能化と信頼性を両立させる事が重要課題であり, 結晶技術, 酸化・拡散技術, 薄膜形成技術, 微細加工技術と言った各要素技術とも, それぞれ努力が続けられている.
薄膜形成技術の代表として CVD (Chemical Vapor Deposition) 法がある.反応室に導入した材料ガスの化学反応により薄膜を形成させるもので, 材料, 装置, 条件によって各種の薄膜形成が可能であり最も有効な薄膜形成技術のひとつである.表1には, LSI製造に用いられている絶縁膜の種類と用途を示すが, CVD法はこの絶縁膜形成に利用される場合が多い.CVD法は, 膜生成時の雰囲気, 化学反応を起こさせるエネルギーの供給方法等により常圧 CVD, 低圧 CVD, プラズマCVD, 光CVD などに分類される.
プラズマCVD法がLSI製造プロセスとして登場したのは1970年代後半であり, CVD 法の中では比較的歴史は新しい.プラズマ放電を利用した膜形成法について, 1960年代には半導体デバイスへの適用可能性が理解されていたが, 現象が複雑であり, 適当な量産装置もなく実用化には至らなかった.このプラズマCVD 法がLSIの舞台へ登場するきっかけとなったのは高信頼チップパッシベーション膜の要求であった.従来の常圧CVD 法や低圧CVD法では出来なかった耐湿性, 耐汚染性, 機械的強度に優れるシリコン窒化膜の低温生成を可能とし注目を集め, 以後積極的に採用され適用範囲が拡大されていった.現在では, プラズマCVD 法はCVD 技術の分野で重要な地位を占めるまでになった.
ここでは, LSI製造プロセスを対象として, プラズマCVD技術について, 膜生成, 膜特性, 及び装置面から最近の話題も含めて述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (778K) -
三戸 英夫, 関口 敦1988 年 31 巻 4 号 p. 271-278
発行日: 1988/04/20
公開日: 2009/09/29
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松尾 誠太郎1988 年 31 巻 4 号 p. 279-285
発行日: 1988/04/20
公開日: 2010/01/28
ジャーナル フリー電子サイクロトロン共鳴 (ECR) を利用したプラズマ生成法は低ガス圧, 高イオン化率, 高活性の特徴を有している.これらの特徴を半導体プロセスに適合するようにして活用すればプラズマプロセスの性能を大幅に向上できると期待される.本稿ではECRプラズマのプラズマCVDへの適用について, 装置構成, イオン制御, Si3N4, SiO2膜形成特性, 応用例等を述べ, ECRプラズマプロセスの特徴を論ずる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (749K) -
4. レーザーによる粒子計測 5:スピニング・ローター・ゲージによる真空計の感度校正清水 肇, 高橋 主人1988 年 31 巻 4 号 p. 286-294
発行日: 1988/04/20
公開日: 2009/09/29
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