真空

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40 巻, 3 号

選択された号の論文の62件中1～50を表示しています

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TiO₂被覆されたオーステナイト系304ステンレス鋼の機械的性質

沖村邦雄, 安丸尚樹

1997 年 40 巻 3 号 p. 117-119
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.117

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レーザアブレーション法によるSrTiO₃ (100) 基板への (Sr, Ba) Nb₂O₆薄膜のヘテロエピタキシャル成長

中野充, 田畑仁, 田中克彦, 片山祐三, 川合知二

1997 年 40 巻 3 号 p. 120-122
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.120

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SBN薄膜をSTO基板上にレーザアブレーション法を用いて成膜し, 基板温度が650℃以上で分極軸 (C軸) 方向に配向したエピタキシャル薄膜が得られた.このときのSBN薄膜とSTO基板のエピタキシャルの方位関係は, [100] SBN// [310] STOである.

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スパッタリング法で作製したSrTiO₃薄膜の結晶性と誘電特性

田中伸治, 山田一, 中川原修, 小林真人, 田中克彦, 片山祐三

1997 年 40 巻 3 号 p. 123-125
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.123

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マグネトロンスパッタ法で形成したTa₂O₅光学薄膜の力学的性質

神村共住, 加納元, 越智完好, 吉田國雄, 吉田英次, 藤田尚徳, 田村繁治, 谷二三夫, 砂川道夫

1997 年 40 巻 3 号 p. 126-129
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.126

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真空蒸着誘電体薄膜のフォトン走査型トンネル顕微鏡による観察

小風豊, 高木祥示, 後藤哲二

1997 年 40 巻 3 号 p. 130-133
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.130

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計算ソフトウェア「SIMION」によるCascade Static Lens Gaugeの解析

田中誠, 金持徹, 浦野俊夫

1997 年 40 巻 3 号 p. 134-136
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.134

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極高真空計測における電極絶縁性の問題

国分清秀, 平田正紘

1997 年 40 巻 3 号 p. 137-140
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.137

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Ti表面偏析Nb薄膜インテリジェントゲッター

吉武道子, 吉原一紘

1997 年 40 巻 3 号 p. 141-144
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.141

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材料表面への水分子の吸着と脱離

石川雄一

1997 年 40 巻 3 号 p. 145-147
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.145

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極高真空材料の水素拡散挙動とガス放出速度の関係

石川雄一, 吉村敏彦

1997 年 40 巻 3 号 p. 148-151
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.148

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電総研次期逆磁場ピンチ型プラズマ閉じこめ装置TPE-RXの真空システム

関根重幸, 島田寿男, 平野洋一, 八木康之, 榊田創, 前嶋良紀, 弘田公, 佐藤康宏, 早瀬喜代司, 上弘一, 折田 ...

1997 年 40 巻 3 号 p. 152-155
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.152

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磁気浮上搬送型極高真空一貫プロセスシステムの小型化

土佐正弘, 笠原章, 吉原一紘

1997 年 40 巻 3 号 p. 156-158
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.156

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雑音電力を用いた極微フィールドエミッタの安定性の定量的評価

長尾昌善, 後藤康仁, 辻博司, 石川順三

1997 年 40 巻 3 号 p. 159-162
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.159

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真空凍結乾燥法による冠水図書の修復

松本益明, 河内泰三, 金文澤, 岡野達雄

1997 年 40 巻 3 号 p. 163-165
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.163

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Pressure and Vacuum Swing法吸着による空気より酸素の濃縮分離における圧力挙動

越村寛一, 木村雅彦, 奥田正俊, 上羽創, 田中幹也

1997 年 40 巻 3 号 p. 166-169
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.166

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小型Cylindrical Energy Analyzerの試作

慎繁範, 藤井康夫

1997 年 40 巻 3 号 p. 170-172
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.170

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Mott電子スピン偏極検出器の性能解析

田村圭司, 小寺正敏

1997 年 40 巻 3 号 p. 173-176
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.173

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表面断層解析用装置によるSi表面層の観察

黒河明, 一村信吾

1997 年 40 巻 3 号 p. 177-179
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.177

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高温超伝導体YBa₂Cu₄O₈の超伝導転移温度近傍における仕事関数

電気抵抗との同時測定の場合

石川武志, 飯島由美, 斉藤茂, 谷辰夫, 前田高雄, 渡辺宣朗, イッティーリッターポン, 腰塚直己

1997 年 40 巻 3 号 p. 180-183
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.180

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X線光電子分光法で評価したBi₂Sr₂CaCu₂O_y (Bi系) 超伝導体の清浄化

柴崎敦彦, 岸田悟, 徳高平蔵, 藤村喜久郎, 直江寛之

1997 年 40 巻 3 号 p. 184-186
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.184

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X線光電子分光法によるイオンビームを照射されたポリイミドフィルムの化学構造分析

張麓〓, 川端毅, 高田和正, 安井利明, 田原弘一, 吉川孝雄

1997 年 40 巻 3 号 p. 187-189
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.187

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Type-I磁気コントラストを用いた磁性体表面の磁区構造解析

藤田篤広, 小寺正敏, 菅博

1997 年 40 巻 3 号 p. 190-192
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.190

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リチウムのガスゲッタリング特性

高橋一郎, 橋場正男, 広畑優子, 日野友明

1997 年 40 巻 3 号 p. 193-196
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.193

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高分子上の銀薄膜の光照射下における安定性

川本悟志, 後藤優実, 福田伸, 中浦誠, 須藤和冬

1997 年 40 巻 3 号 p. 197-200
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.197

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遷移金属 (薄膜) -Si (基板) 系における (埋もれた) 界面の電子状態とその構造

藤井達也, 平井正明, 日下征彦, 岩見基弘, 中村初夫

1997 年 40 巻 3 号 p. 201-204
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.201

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複合ターゲット法によるGa添加a-SiC : H薄膜

斎藤順雄, 乾靖彦, 山口十六夫, 仲秋勇

1997 年 40 巻 3 号 p. 205-208
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.205

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原子間力顕微鏡によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の表面微構造観察

谷庸治, 中村友紀, 上條栄治

1997 年 40 巻 3 号 p. 209-212
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.209

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永久磁石による電子サイクロトロン共鳴放電を用いたCH₄/H₂プラズマの成膜への応用

安井利明, 大家泉, 村井晶, 田原弘一, 吉川孝雄

1997 年 40 巻 3 号 p. 213-215
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.213

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ダイヤモンド薄膜の作製とその音響工学的評価 (2)

小林和彦, 岩下州仁, 野口正俊, 小池卓郎

1997 年 40 巻 3 号 p. 216-219
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.216

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プラズマ化学気相成長法による窒素添加rSiGe : H膜

仲秋勇, 齋藤順雄, 吉岡捷爾, 中村茂昭

1997 年 40 巻 3 号 p. 220-223
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.220

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シート状電子サイクロトロン共鳴放電プラズマの生成とそれを用いた反応性スパッタリング成膜

安井利明, 西土井健, 中瀬清隆, 田原弘一, 吉川孝雄

1997 年 40 巻 3 号 p. 224-226
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.224

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イオンビーム支援蒸着法による窒化アルミ薄膜形成の数値計算

逢強, 高橋康夫, 井上勝敬, 姜文圭

1997 年 40 巻 3 号 p. 227-230
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.227

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高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法を用いたAr-N₂ガスプラズマ中のTiターゲット表面組成

鈴木昌裕, 山本和弘, 田中武, 川畑敬志

1997 年 40 巻 3 号 p. 231-233
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.231

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Cu/Al積層型フレネルゾーンプレートの作製と評価

田村繁治, 大谷和男, 上條長生, 森角治, 丸橋泰三, 吉田國雄, 鈴木芳生, 木原裕

1997 年 40 巻 3 号 p. 234-237
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.234

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チョクラルスキーシリコン結晶における八面体空洞の形成機構

棚橋克人, 井上直久, 溝川悠介

1997 年 40 巻 3 号 p. 238-241
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.238

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電離層プラズマ-高電圧ソーラーパネル間相互作用の数値解析

田原弘一, 高木一樹, 安井利明, 吉川孝雄

1997 年 40 巻 3 号 p. 242-244
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.242

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電子サイクロトロン共鳴放電を用いた宇宙プラズマ環境シミュレーション実験装置の試作研究

田原弘一, 枝光敏章, 小河敦, 張麓〓, 安井利明, 吉川孝雄

1997 年 40 巻 3 号 p. 245-247
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.245

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チタンのガス放出特性定およぼす表面処理の影響

伊藤好男, 湊道夫

1997 年 40 巻 3 号 p. 248-250
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.248

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極高真空用真空計 (AT Gauge) の特性向上

残留電流の低減と感度の向上

秋道斉, 竹内協子, 辻泰, 黒川裕次郎, 林俊雄

1997 年 40 巻 3 号 p. 251-254
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.251

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透明陽極を用いた電界電子放出特性に関する研究

水澤正, 小林信一, 斉藤芳男

1997 年 40 巻 3 号 p. 255-257
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.255

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酸化膜/リンドープシリコンの化学エッチングによる深さ方向X線光電子分光法分析

応文標, 溝川悠介, 小西朗登, 山本道代, 棚橋克人, 上浦良友, 飯田眞喜男, 川本和則, 楊偉毅

1997 年 40 巻 3 号 p. 258-261
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.258

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低速イオン散乱分光法によるH/Pt (111) およびH/Ni (111) の研究

伊藤孝彦, 梅沢憲司, 中西繁光

1997 年 40 巻 3 号 p. 262-265
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.262

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弾道電子放射顕微鏡による金属/半導体界面の超高真空中その場観察

三浦忠男, 角谷透, 藤沼明子, 田中俊一郎

1997 年 40 巻 3 号 p. 266-269
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.266

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化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察

井上直久, 河村裕一, 棚橋克人, 本間芳和

1997 年 40 巻 3 号 p. 270-272
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.270

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高周波マグネトロンスパッタ法によるバイアス印加時のBi₂Sr₂Ca_n-1Cu_nO_y超伝導薄膜の作製

圓山敬史, 原田寛治, 岸田悟, 徳高平蔵, 藤村喜久郎

1997 年 40 巻 3 号 p. 273-275
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.273

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真空マイクロエレクトロニクス素子のための窒化ジルコニウム薄膜の作製と評価

後藤康仁, 藤森敬和, 椎木崇, 辻博司, 石川順三

1997 年 40 巻 3 号 p. 276-279
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.276

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水平一体型の大電流イオンプレーティング装置中の活性化ノズル使用によるTiN膜質の変化

井口征夫, 鈴木一弘, 大久保治, 高橋夏木

1997 年 40 巻 3 号 p. 280-283
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.280

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高周波プラズマスパッタ型負重イオン源からのCN分子負イオン引き出しとCN負イオンビーム蒸着膜の作製

辻博司, 富田哲生, 後藤康仁, 石川順三

1997 年 40 巻 3 号 p. 284-287
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.284

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In-Se熱処理過程のX線回折分光法, アノーディックストリッピングボルタンメトリーによる評価

藤原武, 原田正洋, 伊ヶ崎泰宏

1997 年 40 巻 3 号 p. 288-291
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.288

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ホットウォール法によるZnドープInSe薄膜の作製と評価

原田正洋, 伊ヶ崎泰宏, 斎藤順雄

1997 年 40 巻 3 号 p. 292-295
発行日: 1997/03/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.40.292

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