実用商品に近いスピント型FEDの問題は, やはり, コストと大型化にあると思われる.この問題を解決するため, エミッタ材料へのカーボン材料の応用を提案してきた.当初, マイクロ波CVD法の利用を試みたが, 低温化と大面積化を目指し, 熱CVD法に行き着いた.未だスピント型FEDの画像レベルに追い着けないカーボン系FEDではあるが, 近い将来, FEDの問題点を解決し店頭で並ぶ姿を夢見ている.
最後に, 我々が作製してきたナノチューブとナノファイバーの特徴をまとめておく.
マイクロ波プラズマCVD法によるナノチューブ成膜法の特徴は,
1) 原料ガスにはメタン/水素の混合ガスを用いる.
2) 成膜時の圧力は266Paである.
3) 成膜時の基板温度は650℃である.
4) 成膜速度は1μm/min程度である.
5) ガラス上の触媒金属ライン上にのみナノチューブを選択成長させることができる.
6) ナノチューブを基板に垂直に成長させることができる.
7) ナノチューブ先端に触媒金属が存在する.
8) 大型基板の作製が困難である.
熱CVD法によるナノファイバ成膜法の特徴を以下にまとめる.
1) 原料ガスには一酸化炭素/水素の混合ガスを用いる.
2) 成膜時の圧力は1気圧である.
3) 成膜時の基板温度は500℃である.
4) ガラス上の触媒金属ライン上にのみ選択成長させることができる.
) 触媒金属はナノファイバの根本に存在する.
6) A4サイズの大型基板の処理が可能である.
7) さらに大型基板への応用が可能である.
8) 電界2.0V/μmにおいて電流密度10mA/cm²と良好な電界電子放出特性を示す.

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SrTiO₃ films were prepared on Si and Pt/Ti/SiO₂/Si multilayer substrates by mirror-confinement-type ECR sputtering. For the low temperature synthesis of the films the plasma properties were found to be better than those of conventional divergent-magnetic-field-type ECR sputtering system with better excitation and ionization of plasma particles at a low pressure environment of 1-3 × 10^-2 Pa in Ar and Ar/O₂ mixture gases. Films prepared by an Ar plasma on Si substrates were amorphous and they were crystallized at a temperature of 673 K by the conventional post-annealing method using an electric furnace. When we applied mm-wave irradiation to these films the crystallization temperature could be lowered to 573 K which is 300 K lower than those in the past studies. Films prepared on Pt/Ti/SiO₂/Si substrates by an Ar/O₂ plasma were sufficiently crystallized at a substrate temperature below 450 K without post annealing, and it was verified that high energy ion irradiation to the films disrupted crystallization. While application of post annealing at a temperature of only 573 K by mm-wave radiation to the well crystallized films at as-deposited condition drastically enhanced the dielectric constant of these films to a value of 250-270 which is comparable with the bulk single crystal (300).

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MgOからの脱離ガス種は, 主にH₂OとCO₂である.H₂Oの脱離スペクトルでは3つのピークが観測され, 各々の活性化エネルギーは, 24±3, 35.0±0.7, 62±1kcal/molと求まった.一方, CO₂の脱離スペクトルは単一ピークからなり, 活性化エネルギーは35.5±0.7kcal/molと求まった.脱離次数はいずれも1次であった.
以上の結果に基づき, PDP排気工程における脱ガス挙動を評価した結果, MgOに非解離吸着したH₂OとCO₂に対し, Langmuir型吸着モデルを仮定することで説明されることが分かった.さらに, 排気工程における温度の影響について検討した結果, 排気温度を20℃上昇させることにより, 同レベルの残留ガス分子数にまで排気されるまでの排気時間は約半分に短縮されることが分かった.

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