巻号一覧
後続誌
16 巻, 5 号
選択された号の論文の8件中1～8を表示しています
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勝本 信吾1995 年 16 巻 5 号 p. 280-285
発行日: 1995/05/10
公開日: 2009/08/07
ジャーナル フリーメゾスコピック系において現れる電子の粒子性と波動性をデバイスに応用しようという試みについて述べる。干渉効果を使った素子の開発が難しいのに比べ,単一電子帯電効果を使った素子は応用への道が開けつつある。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5952K) -
上原 洋一, 潮田 資勝1995 年 16 巻 5 号 p. 286-290
発行日: 1995/05/10
公開日: 2009/08/07
ジャーナル フリーSTM発光についてこれまでの研究を簡単に概観したのち,表面微細構造とSTM発光スペクトル形状の相関を研究することにより得られた最近の結果について解説する。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2309K) -
青柳 克信1995 年 16 巻 5 号 p. 291-297
発行日: 1995/05/10
公開日: 2009/08/07
ジャーナル フリー単原子層操作は面方向の究極の材料プロセス技術であり,将来のナノ材料,ナノデバイスの製作のうえで必要不可欠な技術になると予想される。本解説では,単原子層操作(単原子層エピタキシー,単原子層エッチング)の概念を説明し,プロセスの単原子層での自己停止機構が単原子層操作の本質であることを述べ,その機構を議論している。また,単原子層エピタキシーではその量子細線作成への応用を示し,その制御性の良さを議論し,単原子層エッチングでは,その実験結果を示し,その特徴について議論している。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (10050K) -
小林 直樹, 斎藤 久夫, 嘉数 誠, 小林 康之1995 年 16 巻 5 号 p. 298-305
発行日: 1995/05/10
公開日: 2009/08/07
ジャーナル フリー有機金属気相熱分解成長(MOVPE)で,微傾斜基板上に形成される単分子ステップに吸着原子が取り込まれて成長が進行する“ステップフロー・モード”を用いると,断面から見て横方向に周期的に並んだ縦型超格子構造を成長することができる。さらにこれをヘテロ接合ではさみ込むことによって高密度の量子細線構造を作製することができる。ここでは,このようなステップフローを支配しているMOVPE成長の表面拡散過程および成長中のテラスの表面化学構造について,走査型トンネル顕微鏡(STM)観察および表面光吸収法(SPA)によるその場観察結果をもとにGaAsについて考察する。さらに均一な量子細線幅を得るための工夫とそれを用いた電流注入による量子細線レーザーの実現について述べる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (13635K) -
馬場 雅和, 松井 真二1995 年 16 巻 5 号 p. 306-311
発行日: 1995/05/10
公開日: 2009/08/07
ジャーナル フリー微細加工技術が究極の原子サイズへと突入した。原子を観察する走査型トンネル顕微鏡 (STM) がさらに原子1個1個の構造形成技術を提供したのである。超高真空STM中でSi(111)7×7表面に塩素原子の吸着構造を形成する。STM観察では塩素原子はシリコンのアドアトムに吸着しダングリングボンドと結合し, 低バイアス電圧で暗部として観察される。つぎに, この吸着塩素にSTMの探針を近づけ数Vのパルス電圧を印加する。塩素原子直上で印加すると電界蒸発が生じ4～6V電圧で脱離した塩素が再吸着し, 6V以上で脱離のみが生じる。また, 電圧印加位置を少しずらすことにより電界蒸発と電界勾配効果が同時に生じ, 基板のシリコン原子の新しい表面構造を形成できることがわかった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (6936K) -
青野 正和, 中山 知信1995 年 16 巻 5 号 p. 312-319
発行日: 1995/05/10
公開日: 2009/08/07
ジャーナル フリー走査トンネル顕微鏡(STM)の探針を用いた原子操作の研究が最近急速に進みつつある。STMの探針を用いれば,究極ともいえる原子1個ずつの単原子操作から,原子100～1000個単位でのナノメーター加工までが可能である。最近の研究は,後者の場合が多いが,本稿では未来の応用を見つめた単原子操作について議論する。単原子操作の基本は,原子を1個ずつ「除去する」,「供給する」,「移動する」ことである。これらの原子操作をリアルタイムで何らかの電気信号によって「検出する」ことも重要である。これらのおのおのについて,二,三の例を挙げながら現状を紹介する。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (14411K) -
谷山 明, 薄木 智亮1995 年 16 巻 5 号 p. 320-325
発行日: 1995/05/10
公開日: 2010/02/05
ジャーナル フリーエポキシ樹脂と金属酸化物界面での吸着形態,電子の授受などの相互作用を明確にすることを目的に,XPSを用いてエポキシ樹脂と酸一塩基性度の異なる金属酸化物,MgO,Al2O3,SiO3との界面反応状態を分析した結果,つぎの結論を得た。(1)界面近傍では,エポキシ樹脂はMgO,Al2O3,SiO2のいずれの金属酸化物に対してもエポキシ基を金属酸化物に向けるような形で配向している。(2)電子の授受を伴うような界面相互作用はエポキシ樹脂と塩基性のMgOとの間にのみ生じており,両性のAl2O3や酸性のSiO2との間には生じていないと考えられた。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (8494K) -
Tom SCIMECA, Yoshio WATANABE, Fumihiko MAEDA, Masaharu OSHIMA1995 年 16 巻 5 号 p. 326-333
発行日: 1995/05/10
公開日: 2009/08/07
ジャーナル フリーDeposition of Al and Au was performed on a Se treated GaAs(100) surface. The deposition of Al at low coverages results in a significant reduction in band bending that is interpreted in terms of further passivation of the Se treated GaAs surface. At intermediate coverages, band bending is consistent with what one would expect on the basis of Schottky limit. In this intermediate thickness regime, the formation of metallic Ga resulting from a Ga-Al exchange reaction producing a thermodynamically stable AlxSey interlayer is observed. At higher Al coverages, band bending is increased and is accompanied by Se surface segregation and a band bending which is slightly higher than expected from an ideal Al/GaAs interface. In a manner similar to Al deposition, deposition of Au results in segregation of only one Se species and provides further evidence on the structure of the Se/GaAs surface. Finally, Schottky barrier heights of 0.3 and 0.9 eV were realized for AI/Se/GaAs and Au/Se/GaAs respectively. This result suggests the Se passivated surface provides a wide degree of freedom in the fabrication of GaAs based Schottky barrier diodes.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (6288K)
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