表面科学
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17 巻 , 10 号
選択された号の論文の7件中1~7を表示しています
  • 簗嶋 裕之
    1996 年 17 巻 10 号 p. 574-582
    発行日: 1996/10/10
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    TOF-SIMSは固体極表面の微小な領域について,高感度に化学状態分析を行える優れた表面分析法である。しかし,その実用材料への応用は未だ十分になされているとは言いがたい状況である。本稿では,現在までに行われた化学分野で取り扱う材料,特に有機材料へのTOF-SIMSの応用例からTOF-SIMSのもつ分析法としてのポテンシャルを示し,現在抱える問題点や将来目指すべき方向について解説した。
  • 関根 哲
    1996 年 17 巻 10 号 p. 583-591
    発行日: 1996/10/10
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    AESは広く利用されている代表的な表面分析法である。AESの普及には市販の装置技術の発展も重要な役割を果たした。最近の主な進展は,高輝度のフィールドエミッション(FE)電子銃の導入により空間分解能が高められたこと,および電子分光器の高エネルギー分解能化によって状態分析への道が開けたことの二点であろう。これにより極微小領域の状態分析も可能となった。その他の面でも多くの進展があった。例えば,ソフトウエアによるデータ処理は飛躍的に発展し,多変量解析や波形分離などの手法を用いた状態分析などがルーチンワーク化しつつある。それでも現状は装置の性能レベルより材料評価で要求するレベルの方が上にあり,装置の性能がまだまだ足りない状況である。空間分解能をさらに向上させるためのSTEM/CHA技術,検出限界の改善や波形の分離抽出を目指したコインシデンス分光法など極限分析を目指した装置研究もなされている。装置技術の面からAESの現状と将来を論じた。
  • 河合 健一
    1996 年 17 巻 10 号 p. 592-598
    発行日: 1996/10/10
    公開日: 2010/02/05
    ジャーナル フリー
    TXRF(Total-reflection X-Ray Fluorescence:全反射蛍光X線分析)法は表面の厳しい平担度と表面清浄度が要求される半導体用シリコンウェーハのキャラクタリゼーションに応用されることにより急速な発展がなされてきた。すなわちTXRFにより1012atoms/cm2台の微量重金属汚染が半導体デバイスの歩留まりに関係することが判明し,これまで原因不明のまま試行錯誤してきたシリコンウェーハの重金属のウェーハ表面への吸着と脱離の洗浄メカニズムが明らかになりウェーハの品質向上が急速に行われた。これは超純水や洗浄薬液の純度も定量可能となることにより急激に向上したことによる。しかしながら検出限界近くでは検出器のベリリウム窓の鉄やニッケルが不純物として検出されることなどから不信感を持つむきもあり,また得られる数値が各機関でばらつきが多いことも問題となった。このため標準化が世界各地で行われるようになり,微量元素の標準試料の重要性について認識されるようになった。TXRFは専ら応用を主体として進歩してきたが,これに理論的な展開と他の表面キャラクタリゼーション手法とを組み合わされることによりシリコン表面の現象が解明され半導体技術の一層の発展が期待される。
  • 尾形 幸生
    1996 年 17 巻 10 号 p. 599-605
    発行日: 1996/10/10
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    シリコンウェハーをフッ酸水溶液中で適当な条件下で陽極溶解すると,表面に多孔質層(porous silicon layer, PSL)が形成する。この層中には水素が含まれ,また非常に微細な構造をとる。生成する多孔質構造を利用してシリコン上への絶縁層の形成やヘテロ接合など,電子デバイスへの応用の可能性が検討されている。さらに1990年,微細孔径を持つ多孔質シリコン層による室温での可視発光現象が報告され,多くの研究者にこの材料に対する関心を引き起こし,発光素子への応用と発光機構の解明を中心に,数多くの研究者が取り組んでいる。この興味ある材料の特徴は,ナノメーターサイズを含む多孔質構造と含有される水素にある。本稿では,多孔質シリコンの研究の経緯を紹介し,その後,機能発現に関与すると考えられる水素の存在状態を赤外吸収スペクトルと量子化学計算を用いた振動解析により検討した結果,および酸化による多孔質シリコン中の水素の状態変化について紹介する。
  • 水沼 正文, 河崎 鋼慈, 矢口 富雄, 山本 恵彦
    1996 年 17 巻 10 号 p. 606-611
    発行日: 1996/10/10
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    During the mean surface residence time measurements by means of molecular beam relaxation method it is often found that an error starts to appear as the mean residence time becomes comparable to the molecular beam modulation period. An analysis has been made to clarify that this is due to a systematic error which occurs during data processing using Fast Fourier Transform software. Fourier transform is usually performed in a single period of the desorbed molecular beam time-of-flight signal, while the resultant signal is a sum of the signals at present period and those initiated in the past periods. This signal overlapping creates a systematic error especially at high frequency components of Fourier transform.
  • 青木 延枝, 本間 芳和, 廣田 幸弘
    1996 年 17 巻 10 号 p. 612-616
    発行日: 1996/10/10
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    Oxidation of GaAs surfaces in deionized water has been investigated by using X-ray photoelectron spectroscopy with respect to the influences of dissolved oxygen, illumination intensity, carrier types, and carrier concentration. Illumination greatly accelerates the oxidation of the GaAs surface. The dissolved oxygen concentration also affects the oxidation rate; oxidation becomes dominant over dissolution of oxides for the dissolved oxygen concentration of more than 1 ppm. The carrier type as well as the carrier concentration is a determining factor of oxidation rate. The hole concentration at the GaAs surface is considered to affect the oxidation rate.
  • 森田 清三, 菅原 康弘, 大田 昌弘
    1996 年 17 巻 10 号 p. 617-618
    発行日: 1996/10/10
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
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