エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
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13 巻, 4 号
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巻頭言
特集／システム実装を支える設計・シミュレーション技術
技術報告
  • 200℃動作SiCスイッチングモジュールの開発
    徳田 人基, 田中 保宣, 仲川 博, 青柳 昌宏, 福田 憲司, 大橋 弘通, 築野 孝, 星野 孝志, 並川 靖生, 林 秀樹
    原稿種別: 技術報告
    2010 年 13 巻 4 号 p. 280-287
    発行日: 2010/07/01
    公開日: 2010/12/30
    DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.13.280
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    In this paper, a SiC module in which the devices are operated beyond the junction temperature of 200°C was designed, manufactured and tested. The module was designed by considering the heat-resistance of each constituent material to realize a continuous heat distribution. We found that the ratio of voids in the die-bonding material can reduced by about 5% in volume by choosing the reflow conditions of the temperature profile and the environmental condition for Au–Sn and Sn–Ag–Cu lead-free solders. The 200°C operation of the designed module was confirmed by directly feeding a current into the SiC chip to elevate the temperature of the chip. In order to demonstrate real 200°C SiC device operation with the present module, we designed and assembled a DC–DC converter with a SiC-RESURF-JFET and SiC-SBD. The present module was successfully operated at a chip temperature of 200°C in the DC–DC converter.
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