エレクトロニクス実装学会誌

特集に寄せて

安食弘二

2003 年 6 巻 6 号 p. 449
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.449

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ロボットの実装技術

光畑幸史, 大西献

2003 年 6 巻 6 号 p. 450-454
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.450

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自立型ロボットの実現のための制御技術

滝田好宏

2003 年 6 巻 6 号 p. 455-459
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.455

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実装関連ロボットの現状と今後について

井上雅文, 山本祐介

2003 年 6 巻 6 号 p. 460-463
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.460

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ヒューマノイドロボットの実現へ向けて―実装技術への課題

橋本周司

2003 年 6 巻 6 号 p. 464-467
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.464

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知能化技術とロボット新産業創出の取り組み

浅田稔

2003 年 6 巻 6 号 p. 468-471
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.468

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シリコンオンチップ, スパイラルインダクタにおける最適なグラウンドシールド構造に関する検討

杉本泰博, 佐藤紳悟

2003 年 6 巻 6 号 p. 473-480
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.473

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本論文では, LSIチップに登載する高周波スパイラルインダクタに関し, そのQ値の改善に寄与する, 最適な配線形状, ならびに最適なグラウンドシールドの形状および構造について検討した結果を述べる。まず標準的なCMOSプロセスを使って実現することを仮定し, 電磁界解析ツールを用いてLSI上に構成するスパイラルインダクタ素子の電磁界分布をシミュレーションした。これにより得られた知見をもとに, リング状のインダクタ配線形状と櫛形形状のグラウンドシールドを有する, 新しいスパイラルインダクタ素子の構造を提案した。併せて, インダクタ配線とグラウンドシールド間の距離およびグラウンドシールドの材質をシート抵抗の観点から検討し, これらを含めた最適な構造を提案した。この結果, 7nHのスパイラルインダクタにおいて, 従来に比し, 周波数範囲2～3.5GHzでQ値が15%から23%上昇する見通しが得られたので, 報告する。

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光導波路フィルムを用いたボード内光インタコネクション

塩田剛史, 高松信博, 鈴木健司

2003 年 6 巻 6 号 p. 481-487
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.481

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新しいボード内光インタコネクションとして, ポリイミド光導波路フィルムの両端に面発光レーザ (VCSEL) および受光素子 (PD) を直接光結合した“光配線素子”を電気的にプリント配線板上に接続する構造を提案した。本構造の低コスト化へのキーテクノロジである直接光結合方法として, 2種類のパッシブアライメント法を開発した。1つは, 光導波路コアの形状を透過光で観察し, コア形状自身をマーカとする方法, もう1つは, 凹みのある光導波路断面形状をマーカとして利用する方法であった。発振波長850nmのVCSELを用いたとき, トータルの結合損失は2dB以下であった。作製したボード内光伝送基板を用いて2.5Gbpsの伝送を実現した。以上の結果から, 新規提案の構造によりボード内光インタコネクションが安価に実現できることを示した。

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接触角計測システムを用いたはんだぬれ性評価技術の開発

高尾尚史, 長谷川英雄, 塚田敏彦, 山田啓一, 山下真彦

2003 年 6 巻 6 号 p. 488-495
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.488

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溶融はんだの接触角をin-situで光学的に計測するたあに開発した技術を既存のぬれ性試験機 (メニスコグラフ試験機) に組み込むことで, 物性値 (接触角, 界面張力) による定量的なぬれ性評価・解析が可能なシステムを構築した。代表的な鉛フリーはんだであるSn-3.5Agのぬれ性評価に適用した結果, Sn-3.5AgとCuとのぬれ接触角 (θ) は43degと大きくSn-37Pb (θ=23deg) に比べてぬれ性に劣ることがわかった。さらに, ぬれ性に及ぼすSn-3.5Agへの元素添加 (1%Cu, 1%Zn, 5%Bi, 5%In) , フラックスおよびCu表面のAuコーティング処理の影響について検討し, 接触角の差異には, はんだ, 基板, フラックス間の界面張力の違いが起因することを明らかにした。

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鉄系合金と鉛フリーはんだの反応

竹本正, 竹本雅春

2003 年 6 巻 6 号 p. 496-502
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.496

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鉛フリーはんだの各種特性評価が終了し広範な実用化展開が近づいているが, はんだ付機器材料と鉛フリーはんだとの反応が未解明である。そこで, はんだごて先チップめっきやフロー槽に使用される鉄系材料の溶融鉛フリーはんだへの溶解反応を検討した。その結果, 鉄系材料の鉛フリーはんだへの溶解速度は従来のSn-Pb共晶に比較するとおよそ3倍程度となり, 機器の損傷が大きくなる可能性が明らかとなった。鉛フリーはんだおよび合金鋼組成の影響はあまりみられなかった。ステンレス鋼では不均一溶解が生じ, 最大溶解深さは合金鋼よりも大きい。溶融はんだ温度の低下, 接触時間短縮およびはんだへの微量Feの添加は溶解防止に有効であった。

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無電解Ni-P/AuめっきとSn-Ag系鉛フリーはんだの界面反応と接合部強度

平森智幸, 伊藤元剛, 吉川正雄, 廣瀬明夫, 小林紘二郎

2003 年 6 巻 6 号 p. 503-508
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.503

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本研究では, 無電解Ni-Pめっき上にさまざまな厚さのAuめっきを施した基板にBGA対応のSn-AgはんだボールおよびSn-Ag-Cuはんだボールを接合し, リフロー後および高温放置後における界面構造の観察および接合強度の測定を行った。Sn-Ag-Cuはんだの場合, Auめっき厚が250nmと500nmの試料では界面にPリッチ層が形成されたが, Auめっき厚の薄い試料では形成されなかった。一方, Sn-Agはんだの場合, Auめっき厚によらず界面にPリッチ層が形成されていた。どちらのはんだにおいてもAuめっき厚の厚い試料では強度試験において界面で破断が生じたので, Pリッチ層の形成は界面強度の低下につながると考えられる。Sn-Ag-Cuはんだでは50nmのAuめっき厚さが最適であった。

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Sn/Ag多層めっきCuコアはんだボールとNi/AuめっきパッドとのBGA接合性評価

酒谷茂昭, 佐伯敏男, 小原泰浩, 上西啓介, 小林紘二郎, 山本雅春

2003 年 6 巻 6 号 p. 509-515
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.509

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Cuコア鉛フリーはんだボールとしてCuボールにSnとAgを順にめっきしたボールを作製し, その溶融挙動およびパッド材との接合性を検討した。その結果Snめっき中にCuとAgが拡散することによりSn-Ag-Cuの3元共晶温度で溶融が開始し, Sn-3.5Ag-0.76Cuと同様な条件でソルダリングが可能とわかった。このボールをNi/Auめっきパッドと接合したとき, Sn-3.5Ag-0.76Cuと同様にはんだはβ-Sn, Ag₃Sn, Cu₆Sn₅ (η') からなる組織を呈し, 界面にはη'相が形成した。また高温放置後の試料に対するせん断試験結果から, この界面反応層の成長が抑制されたため接合強度の劣化が起こりにくいことがわかった。

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正弦波を用いたTDR法による特性インピーダンス測定法の開発

作左部剛視, 高橋丈博, 澁谷昇

2003 年 6 巻 6 号 p. 516-519
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.516

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New measurement method for characteristic impedance of Printed Circuit Board was developed and its usability was demonstrated. This method is based on a conventional TDR method, but using burst sinusoidal wave modulated by step pulse as a input signal instead of direct step pulse. Characteristic impedances of 5m semi-rigid cable and 28cm Microstrip PCB are measured at 70 MHz-350MHz frequency randge using this new method. For the long cable the characteristic impedance can be measured consistently with the conventional method between 200MHz to 350MHz. For the short microstrip line however the measured values fluctuate in some extent. The reason for obtained results are discussed.

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製品内の結合経路とEMC

岡尚人

2003 年 6 巻 6 号 p. 520-527
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.520

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銅箔の概要

三宅淳司

2003 年 6 巻 6 号 p. 528-533
発行日: 2003/09/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.528

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お詫びと訂正

2003 年 6 巻 6 号 p. 535
発行日: 2003年
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.6.535

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