エレクトロニクス実装学会誌

特集に寄せて

和嶋元世

2000 年 3 巻 7 号 p. 543
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.543

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (91K)
一括積層法による全層IVH配線板

榎本亮

2000 年 3 巻 7 号 p. 544-547
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.544

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (6535K)
一括硬化多層配線板

藤崎昭哉, 林桂, 堀正明

2000 年 3 巻 7 号 p. 548-551
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.548

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (3890K)
高密度薄形多層基板

岸本聡一郎

2000 年 3 巻 7 号 p. 552-556
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.552

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (9146K)
ベアチップ実装用次世代ALIVH基板の開発

安藤大蔵

2000 年 3 巻 7 号 p. 557-562
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.557

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (8316K)
厚膜・薄膜混成高密度ビルドアップ配線板技術

福岡義孝

2000 年 3 巻 7 号 p. 563-568
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.563

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (7084K)
ボリイミド表面化学および性状が界面破壊靭性値に及ぼす影響

雨海正純

2000 年 3 巻 7 号 p. 569-577
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.569

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

半導体パッケージは, 高機能, 小型化, 低コストという電子機器および半導体デバイスの高機能や高速性などの性能を最大限引き出すため, 基板への実装部品として重要な役割を担っている。それに伴ってパッケージのI/Oピン数の増加, サイズの小型化, 軽量化, 薄形化を同時に達成することを必要としている。この要求を満たすために新しい技術であるChip Scale Package (CSP) の導入が図られてきた。Chip Scale Package (CSP) は, 金属, セラミックス, プラスチックス等の無機および有機材料が多く使用されており, その構造はきわめて複雑でかつ異種材料接着接合よりなる。強度信頼性の諸問題は多岐にわたるが, はんだリフロー工程および温度サイクルテスト後のパッケージ界面はく離問題が顕著に現れる。界面破壊は, 吸湿した水分の蒸気圧および異種材料間の熱応力により, 応力特異性の大きさが原因である。界面破壊に関する論文は数多く出されているが, ポリイミド材を塗布したチップ表面とエポキシ封止樹脂との界面はく離およびポリイミド表面化学・性状が界面破壊に及ぼす影響が議論不足である。そこで, 本研究では化学結合エネルギと物理単位が等価なエネルギ解放率 (G) の関数である応力拡大係数を用いて, 今まで論議されてこなかったポリイミド表面化学・性状がポリイミド材・エポキシ封止樹脂界面の界面破壊靭性値に与える影響を評価した。ポリイミド材・エポキシ封止樹脂界面破壊試験実施後, 有限要素法による応力特異場解析で界面破壊靭性値を求めた。また, ポリイミド表面化学・性状は, X線光電子分光法 (XPS) , 赤外分光内部反射法 (ATR) および原子間力顕微鏡 (AFM) を用いて特性化を試みた。

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (3340K)
光導波路からの不要電磁輻射の検討

伊藤裕一, 佐藤隆志, 三上修, 江口真史, 石田宏司

2000 年 3 巻 7 号 p. 578-584
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.578

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

光インタコネクションは電気配線にとって変わる配線として, EMIといった問題を解決するための切り札とされている。現在, 使用されている光導波路の中でも高分子光導波路は光インタコネクションのキーデバイスである。われわれはいくつかの違う構造をした光導波路を作製し, 光導波路からの光EMIを実験的に測定した。また, BPMを使用したシミュレーションにおける光EMIの検討を行った。光EMIは光導波路のオーバクラッド厚が大きいとき, また, 入射モードと導波路固有モードが一致すれば, 光EMIは十分抑制できることがわかった。

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (10562K)
統計的設計システムを用いた有限要素法によるアンダーフィル実装構造の熱疲労信頼性評価

加賀靖久, 于強, 白鳥正樹

2000 年 3 巻 7 号 p. 585-591
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.585

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

電子機器の軽薄短小化に対応できるアンダーフィル封止されたフリップチップ実装構造は, 電気的特性等にも優れていることから注目されている。このはんだ接合部では回路板との線膨張係数の差に起因する疲労破壊が起こる可能性があるため, その簡易な信頼性評価手法の確立が望まれている。しかしながら, これらのパッケージ構造は複雑であるため, 有限要素法解析等による評価パラメータの算出が困難である。本研究では, アンダーフィル樹脂封止したFC実装構造における熱疲労信頼性評価方法に関する検討を行い, いくつかの設計要因から信頼性評価パラメータを算出できる評価式 (推定式) により簡易に熱疲労信頼性を評価する方法を提案した。

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (1091K)
錫基はんだ材料の機械的特性および熱疲労特性

西浦正孝

2000 年 3 巻 7 号 p. 592-599
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.592

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

鉛フリーはんだとして有力視されている錫基はんだ材料としてSn-Ag系, Sn-Sb系およびSn-Ti系はんだ材料の24組成について, はんだ付け性, 機械的特性および熱疲労特性について系統的に検討した。Sn-Ag系およびSn-Sb系はいずれも良好な機械的特性と熱疲労特性を示し, Sn-37Pbの1.4倍強から1.8倍強の寿命特性を示した。また, 析出強化型Sn-Ag系の方が固溶強化型Sn-Sb系より寿命特性に優れ, さらにAg, Sb, Biの添加により寿命特性が向上することを確認した。しかし, Sn-Ti系ははんだ付け性, 機械的特性に劣り, はんだ接合としての課題があることを確認した。Sn-Ag系およびSn-Sb系は鉛フリーはんだ材料としても有力な材料であると考えられる。

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (6116K)
QCM法による鉛フリーはんだのイオンマイグレーション過程に及ぼす要因か解析

田中浩和, 中村誠, 植田文崇, 吉原佐知雄, 白樫高史

2000 年 3 巻 7 号 p. 600-606
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.600

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

微小な質量変化を測定する手法として水晶振動子マイクロバランス (QCM) 法を用いて, 二元系合金の鉛ブリーはんだのイオンマイグレーション成長過程を解析した。その結果, マイグレーション成長に大きく影響するアノード溶出量, カソード析出量は, 従来の鉛はんだと比較し鉛フリーはんだは減少傾向にあった。また, マイグレーション成長による析出物は, 鉛フリーはんだはSn成分であり, 鉛はんだはPb成分であった。SnはPbに比べ酸化皮膜形成による不働態域が広く安定なため, 主成分がSnである鉛フリーはんだは, 電極表面に安定なSn酸化皮膜を形成しアノード溶解を抑制したと考えられ, 鉛はんだと比較し鉛フリーはんだは耐マイグレーション性が高いと考えられる。しかしながら, この酸化皮膜は, 印加電圧, 溶液中のpHの変動, フラックス残渣成分中のイオン性不純物の混入によっては, 酸化皮膜の形成能力や密着性を低下させマイグレーション成長を促進させる。本研究ではQCM法を用いて, アノード溶解, カソード析出をその場 (in situ) 解析することによって, これらの要因を解析した。

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (5691K)
ビア穴埋めに用いるCuめっき添加剤のメカニズム

近藤和夫, 林克彦, 田中善之助, 山川統広

2000 年 3 巻 7 号 p. 607-612
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.607

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

本研究ではビァ (トレンチ) 穴埋めに用いるCuめっきの添加剤 (Cl^-, PEG, SPS, JGB) の役割を検討した。Cl^-を添加するとマクロステップが発生する。PEGを添加するとこのマクロステップ端面に直径数十nmの粒状PEGが優先的に吸着する。PEGの吸着はマクロステップ成長を抑制する。JGB, SPSを添加すると, 数十nmの微細な結晶形態となる。Cr^-+PEGを添加すると分極曲線はカソード分極し, めっき成長は抑制される。Cl^-+PEG+JGBでは回転数の増加とともにカソード分極が大きくなる。添加剤であるJGBはPEGの拡散律速性を大きくする。そのためトレンチ外部の方が拡散距離の長い底部よりPEGが多数吸着する。トレンチ外部ではめっきの成長が抑制され, 優先的にトレンチ底部にめっきが析出する。

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (6901K)
ウエハレベルバーンインのAIパッドへの安定コンタクト技術

藤本敬一, 中田義朗, 沖伸一, 渡壁明雄

2000 年 3 巻 7 号 p. 613-616
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.613

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

We developed the WLBI technology that was applicable to Al pads wafer. Contact stabilization between Al pads and bumps was one of important subjects for developing WLBI probe. One problem was the high contact resistance for a while after making contact at room temperature, and another problem was the increase of the contact resistance during high temperature (125°C) . In this paper, we report that we analyzed those problems and that those problems were solved by making the bumps surface ruggedness and applying suitable materials to the bumps surface.

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (2664K)
Pbフリーダイボンドはんだを用いた半導体デバイスの開発

横沢眞覩, 日高耕慈, 小柏俊典, 有川孝俊

2000 年 3 巻 7 号 p. 617-620
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.617

ジャーナルフリー

抄録を表示する抄録を非表示にする

Pb-free electronic devices have been developed to remove the environmental damage from the human body. This report is related to the heat resistance and the joint reliability of diebonded section with Sn-15Sb solder. A solder bath dipping test for 10 seconds above 250°C leads to the void genelation into Sn-15Sb solder, which tends to increase the thermal resistance with a short time of thermal fatigue test. Furthermore, it should be selected the diebond solder and the back metal of die to keep the solidus temperature of die-bonded section. For the practical reflow soldering of semiconductor devices having Sn-15Sb die-bonded solder, it is essential to propose the reflow profile with the maximum peak temperature below 240°C.

抄録全体を表示

PDF形式でダウンロード (6656K)
実装の新しい可能性

須賀唯知, 大塚寛治

2000 年 3 巻 7 号 p. 621-626
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.621

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (7039K)
IMSプロジェクト「EFSOT」の発足とその概要

岡本正英

2000 年 3 巻 7 号 p. 627-631
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.627

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (1590K)
2000ワークショップ報告

山道新太郎

2000 年 3 巻 7 号 p. 633-634
発行日: 2000/11/01
公開日: 2010/03/18

DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.3.633

ジャーナルフリー

PDF形式でダウンロード (5088K)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）