本文では, 与えられたネットに対する木変換を用いた遅延最小化配線手法を提案し, その性能を評価している。ネットは, 2次元平面上に分布したn個のシンクと1個のソースから成り, 各シンクには遅延の重要度を示す重みが与えられている。最小化すべき遅延は, 各シンクへの重み付き遅延の総和であり, 遅延計算にはElmore遅延を用いている。また, 各シンクには負荷容量が, ソースにはドライバ抵抗があるものとし, 単位長さ当たりの配線抵抗および配線容量は配線面上で一定としている。ランダムに生成した100個のネットに対して, 本手法を適用した結果, 従来手法より良い解を出すこと, MCMの場合にはElmore遅延を用いていても十分実用的であることが確認できた。

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スズーインジウム共晶合金めっきは, 融点が低く, 優れた耐熱疲労性を有していることからLSI素子のフリップチップ実装への適用が期待される。2, 2'-ジチオジアニリン, ポリオキシエチレン-α-ナフトールおよびポリエチレングリコール1000を添加剤とするスルホコハク酸浴 (浴温25℃) から, 電流密度0.5～3.0A/dm²において, 共晶組成を有するスズーインジウム合金皮膜が得られた。これらの添加剤の併用添加により, スズの優先析出が抑制された。スズーインジウム共晶合金皮膜は, β-スズ相とインジウム相, InSn₄相およびIn₃Sn相からなり, その融点は117℃であった。

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ファインピッチリードフレーム用の金型部品の微細加工の可能性を検討するとともに, FEM解析により打ち抜き時に各部品に要求される強度を検討した。この結果, 入子の孔加工は最小幅77μmまで, パンチの加工は最小幅74μmまで微細加工が可能なことがわかった。また, 線径φ40μmのワイヤ放電加工機による入子の孔加工について加工精度を確認するとともに, パンチ加工については, 加工方法が異なると加工精度が相違することを確認した。FEM解析により, パンチの座屈強度と諸因子 (かき上げ形状, 固定位置, 屈折形状) との関係を明らかにすることができた。また, FEM解析の結果から, ダイ入子の抜き形状が並ぶとき, 抜きに段差や抜き幅の差があると, 入子は強度的に不利になることが推測された。

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一般的に, 無電解ニッケルめっき膜のはんだ濡れ性やボンディング性は, ニッケルめっき膜中のリン含有率に大きな影響を受ける。本報ではめっき初期および後続の定常期における無電解ニッケルめっき膜のリン偏析と濃度について報告する。EPMA, GDOESおよびAES測定の結果から, 初期におけるめっき膜中のリン含有率は, 後続の定常期のめっき膜より高い値を示すことがわかった。無電解NiPめっき膜の最表面には, リンリッチ層が形成されていることを確認した。また, 約20-40nmのリンリッチ層は, めっき初期に生じ, この層は常に析出反応の進行に伴って, めっき表面の上部に留まることを確認した。

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Agナノ粒子複合めっきによって得られたSn-Ag合金めっき皮膜の組成は共晶組成に近く, 広い電流密度範囲でほぼ一定であった。複合めっきによるSn-Ag合金皮膜の硬さは溶製合金より大きく, 溶融後に急冷することによってさらに硬くなった。この硬さ変化は, 急冷によってAg, Sn微細粒子の分布が均一になるという微細組織変化と対応づけられた。Sn-Ag複合めっきを施したCu素地へのはんだボールの接合強度は, 清浄な試験片で比較する限りCu素地に直接接合した場合よりもわずかに低下した。しかし, Cu素地に直接接合した場合とは異なって湿潤環境への暴露後にも低下せず, 下地にNiめっきを施すことによって幾分向上した。

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本研究では, 鉛フリーはんだのうちで実用化に近いSn-Ag系はんだとして, Sn-3.5Ag, Sn-3.5Ag-0.7Cu, Sn-3Ag-5Bi, Sn-3.5Ag-2.5Bi-2.5Inの4種類の鉛フリーはんだを対象として, Sn-10PbおよびAu/Pd/NiめっきリードQFPの接合継手部において, 継手強度に及ぼす界面反応の影響について検討するため, 長時間使用環境を想定した高温放置試験および温度サイクル試験を行った。継手強度はCu₆Sn₅, Cu₃Snからなる界面反応層の厚さに支配されていた。Sn-10Pbめっきリードを用いたSn-3Ag-5Biはんだ継手の場合では, 高温放置および温度サイクル試験後に継手強度が著しく低下していた。これは, 反応層の前方でBi, Pbの濃化相が液相を生成し, これによって反応層の異常成長が起こり, 強度が低下したと考えられた。その他の継手では, Sn-37Pb共晶はんだとほぼ同等の継手強度と信頼性が得られた。

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携帯情報機器に用いられている半導体デバイスを対象として, その構成材料であるエラストマの物性が熱残留応力や反り変形に及ぼす影響因子を理論的に検討した。すなわち, 半導体デバイスの構成材料であるエラストマの物性のうち, 弾性係数, ガラス転移温度および線膨張係数が半導体デバイスの熱残留応力と反り変形に及ぼす影響を, 熱粘弾性数値解析によって定量的に解明した。その結果, 半導体デバイスのLSIチップとエラストマの界面部に発生する熱残留応力を低減するためには, エラストマの物性値としては弾性係数を小さく, ガラス転移温度を高く, かつ線膨張係数を小さくすることが望ましい。また, プリント配線板とはんだボールの界面部の熱残留応力は, LSIチップ界面部のそれに比べて10%程度と小さい値となり, この部分からの界面はく離の発生の懸念は少ないことを定量的に明らかにした。

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We have proposed a new focusing/tracking error signal detection method using a holographic optical element (HOE), and reported the evaluation results with this HOE-LD/PD integration unit carried in the optical pickup. In this error signal detection system, focusing and tracking error signals are detected with sub beam spots generated by the HOE, and the main beam spot is used only for RF signal detection. For this reason, it is not necessary to use multi-segment PD for RF signal detection. Therefore, improvement of the RF signal response is expected to become easy. Basic operation of the optical pickup using this new HOE was examined experimentally, and good results were obtained.

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The elution of bismuth, silver and tin into acid rain from three kinds of lead-free solder with different melting points (different proportions of bismuth) was investigated and com-pared with that of lead from Sn37Pb solder. The amount of bismuth eluted from lead-free solders ranged from approximately 1/100 to 1/3 of that of lead eluted from Sn37Pb solder, whereas the amount of silver eluted was less than 1/100 of that of lead. In contrast, the elution of tin from lead-free solders alloyed with much bismuth, which has a higher oxidation-reduction potential than tin, was more than that from Sn37Pb solder. The galvanic potential difference increased the elution of tin, lead and bismuth from solders joined to copper. Since eluted bismuth, silver and tin were easily changed to colloidal precipitate, it is considered that lead-free solder is unlikely to cause significant water pollution.

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The deterioration of ball solderability is indicated with the narrower pitch of solder balls of BGA package. Accordingly, the tape carrier that the via-holes for the ball soldering were buried with copper plating was developed for the prevention. In order to deposit of the copper plating in minute blind via-holes of the polyimide tape, suitable copper sulfate plating bath at the thickness over 40μm was found. And, the analysis and control technique of additives as dispersing agent and brightener, etc. was also established. Uniformity of the current distribution in the plating tank was necessary for the small deviation of the copper plating thickness. In order to solve the problem, based on the computer simulation, the optimum current shielding board was installed in the tank, and the equalizing of the thickness was achieved. On the bases of these results, it was established the mass-production technology of uniformly and high-speed copper plating in minute via-holes which were formed on tape carrier of long length. And the continuous copper plating machine for tape carrier was constructed. For further miniaturization of the LSI package, the developed technology has been widely applied to the tape substrate.

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Surface breakdown phenomenon of printed wiring board was investigated with increasing temperature from 23°C to 150°C. The experiment was carried out by do pulse voltage with the frequencies in the range of 50Hz to 150Hz. Printed wiring boards of epoxy resin laminate have been employed to investigate the effects of the surface temperature, electrode distance and the frequencies of applied voltage on the discharge quantity. The study revealed that the time to breakdown decreases with increasing the temperature, increasing the frequency of applied voltage and decreasing the electrode distance. The characteristics of discharge currents with increased temperature and the electrode distance were discussed by power spectral density of discharge current. The results show that the power spectral density of discharge currents increases with increasing the temperature, and decreasing the electrode distance.

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