実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動を，ドリフト拡散デバイスシミュレーションにより評価する手法を検討した。応力効果をデバイスシミュレーション上で取り扱うための電子移動度モデルを検討し，実験結果との比較からその妥当性を検証した。この移動度モデルでは，応力によるSi伝導帯エネルギ変化，および伝導帯エネルギ変化によって引き起こされる電子存在確率と散乱確率の変化を考慮した。このシミュレーション手法を用いて，QFP樹脂封止にともなう nMOSFET のDC特性変動を評価した。その結果，実験で得られたドレイン電流の変動，しきい値電圧の挙動および相互コンダクタンスの変動を再現することができた。

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人体内通信システムにおけるウェアラブル送信機に着目し，TLM（Transmission Line Matrix）法による電磁界解析および実験により，電磁界分布および送信機電極の入力インピーダンス特性を検討し，腕部モデルにより送信機電極の入力インピーダンス特性の評価が可能であることを示し，そのインピーダンス特性は，送信機の電極長および電極幅に反比例し，電極間隔に比例することを明らかにした。解析結果から電極寸法に対する電極の入力インピーダンス特性の近似式を求め，腕時計サイズ（30 mm×30 mm）の送信機における電極設計を試みた。電極長，電極幅，電極間隔がそれぞれ，11.2 mm，30 mm，7.6 mmの時に，変成器やスタブを用いることなく50 Ω系の電極が得られ，この電極の採用により，送受信機間の伝送特性が2～12 dB改善することを確認し，電極設計における近似式の有効性を示した。

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As electronic devices are miniaturized, connection reliability between the Liquid Crystal Display (LCP) and the device becomes increasingly important. Anisotropic conductive film has been widely used to form the connection between the chip and the glass substrate. In this paper, we report the applicability of ultraviolet light irradiation, using a photocatalysis process to modify the surface of the non-conductive resin particles. A uniform and adhered nickel deposition can be achieved with TiO₂ as the photocatalyst. However, separating the TiO₂ from the treated resin particles can be difficult. We were able to solve this problem by introducing ZnO as a photocatalyst, since the ZnO particles are easily dissolved by an acid and alkaline solution.

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In this study we propose a new mounting structure for SiC power devices that operate at high temperatures and evaluate its reliability. In this new structure the stress relaxation function rests with the circuit metal on the substrate rather than the joint layer, so high purity aluminum, which has similar characteristics to conventional solder, was chosen as the circuit metal. By conducting a Finite-Element-Method analysis using the measured nonlinear material properties of aluminum, it was possible to make a stress–strain evaluation of the structure. In order to investigate the practical fatigue properties of aluminum we devised a mechanical test method which makes local strain concentration of the chip joint appear, and this method enabled prediction of the thermal fatigue life cycle of the structure. Moreover, a harsh Thermal Cycle Test of the chip mounting samples was conducted between −50 and 300 degrees Celsius, and a positive correlation was obtained between the predictions and the test results.

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Table 1. Trends in research and development of TSVs
-  2006 MRS [15] 2006 IEEE EDL [16] → 2006 MRS [15]
-  2006 IEEE EDL [16] 2006 SST [16] → 2006 IEEE EDL [16]
-  2007 SST [17] 2007 IEEE ED [17] → 2007 SST [17]
-  2008 IEEE ED [18] 2008 → 2008 IEEE ED [18]

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