砥粒加工学会誌

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ワイドギャップ半導体材料である単結晶窒化ガリウム（GaN）は電力損失の低いパワ-デバイスへの活用が期待され，基板の高品質化や大口径化などの取り組みが進められている．しかし同材は，高硬度，高化学安定性，および脆性という特性を有するため，従来のシリコン基板に対する手法では加工が困難である．そこで本研究では，GaN (0001)基板Ga面において，過酸化水素水（HP）への紫外線（UV）照射によってヒドロキシル（OH）ラジカルを発生させて，GaN材料表層を改質し，加工の高効率化を試みた．さらに改質と除去を連続的に行うことのできるUV援用テ-プ研削加工法を考案した．その結果，同加工法を利用することにより，通常の加工法に比べて表面平坦化に及ぼす時間が1/6となり，6倍以上の加工速度向上の可能性が見いだせた．

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