X線解析, 偏光顕微鏡による観察および示差熱分析により, BaTiO₃-BaB₂O₄系平衡状態図を定めた. これによるとこの系の相図は単純共晶型であることが明らかになり, BaTiO₃単結晶がBaB₂O₄をフラックスとして育成されうることがわかった. 具体的には45モル%BaTiO₃の混合物を1150℃から950℃まで1-5℃/hrの速度で徐冷し, 数ミリの結晶を得ることが出来たが, 種結晶回転法がさらに適切であった. 得られた結晶は, 昇温過程で132.5°, 降温過程では130.3℃のキュリー点をもつことが示された.

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Processes of corrosion of mullite by vapors of different potassium salts were investigated. Small size test pieces or powders taken from mullie refractories were exposed to the vapors of potassium carbonate, potassium sulfate and potassium chloride at temperatures ranged from 1000° to 1300°C. Phase assemblies of the samples were determined petrographically after each run.
Although potassium chloride was found to evaporate faster than potassium carbonate and potassium sulfate, K₂CO₃ vapor was the most corrosive against mullite.
The corrosion products of mullite differed from each other depending on the kinds of vapors. With K₂CO₃ vapor, a small amount of leucite and kalsilite were formed at the initial stage of the corrosion process, but gradually they were replaced by the final products, i.e, potassium aluminate and glassy phase. Leucite, kalsilite, corundum and β-alumina were the common products of the corrosion by vapors of K₂SO₄ and KCI, and additional phase in the case with K₂SO₄ was solid solution potassium and sodium sulfate.

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BaO・TiO₂-Al₂O₃-SiO₂系結晶化ガラス中に, チタン酸バリウム (BaTiO₃) に伴って析出するヘキサセルシアン (BaAl₂Si₂O₈) が試料表面付近で配向する原因を明らかにする目的で, BaO・TiO₂60, Al₂O₃14, SiO₂26モル%の組成のガラスの結晶化過程を試料表面付近と内部に分けて調べた. その結果, ガラス内部では初めから安定相のチタン酸バリウムおよび, ヘキサセルシアンが析出するのに対し, ガラス表面付近では, 初めにベニト石型の準安定結晶が析出し, 後に, これがチタン酸バリウムおよびヘキサセルシアンに変化することが明らかとなった. ベニト石型結晶は針状晶で表面に垂直に配向して析出し, その結晶構造はヘキサセルシアンの構造によく似ているので, 後に析出するヘキサセルシアンはベニト石型結晶の配向の影響を受けて配向するものと考えられる.

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The investigation was made concerning the dependence of transformation temperatures, softening temperatures and thermal expansion coefficients of Si-As-Te glasses on composition. Transformation temperatures, T_g, are in the range from about 110 to 368°C, and increase with increasing silicon content and decrease with increasing tellurium content. Temperatures of initial deformation under load, i.e., softening temperatures, T_s, are within about 125 to 425°C and exhibit the same dependence on composition as in the case of T_g. Average linear thermal expansion coefficients at temperatures from room temperature to T_g, α_l and from T_g to T_s, α_h, are in the range (0.8-2.1)×10^-5cm/cm/°C and (1.3-6.2) 10^-5cm/cm/°C, respectively. In contrast to the dependence of T_g and T_s on composition, α_l and α_h decrease with increasing silicon content and increase with increasing tellurium content. For the glasses of a given atomic ratio of silicon to arsenic, both T_g and T_s increase linealy with increasing the concentration of covalent bonds per unit volume, [v], and the following relations are obtained:
When the (Si/As) atomic ration is 1.50,
T_g=97.19[v]×10²-441.4, T_s=112.06[v]×10²-506.3.
When the (Si/As) atomic ratio is 0.67,
T_g=78.49[v]×10²-350.6, T_s=84.85[v]×10²-368.6.
When the (Si/As) atomic ratio is 0.25,
T_g=51.61[v]×10²-201.1, T_s=60.14[v]×10²-237.8.
The values of [v] in this investigation are in the range from 5.79×10^-2 to 8.32×10^-2 mole/cm³. Thermal expansion coefficients, α_l and α_h, decrease linearly with increasing the concentration of covalent bonds, regardless of the (Si/As) atomic ratio α_l×10⁵=-0.4725[v]×10²+4.826,
α_h×10⁵=-1.4976[v]×10²+14.616.
From the above relations, the following values are estimated for amorphous tellurium:
T_g=35±4°C, T_s=43±3°C,
α_l=(2.54±0.13)×10^-5cm/cm/°C and α_h=(7.38±0.28)×10^-5cm/cm/°C.

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ブリッジマンアンビル型の加圧装置を用いて高圧を加えたガラスの光吸収を測定することにより珪酸塩ガラス中における銀コロイドの生成にたいする高圧の効果を調べた. 室温で65kbまでの高圧を加えておくと, その後250°-500℃の高温で加熱したときにおこる銀コロイドの生成が促進された. 銀コロイドの生成がおこるような高温で圧力を加えてもやはり銀コロイドの析出が促進された. ただし, この場合には, 析出した粒子の寸法はさきの場合にくらべてより小さかった. このように銀コロイドの生成が促進されるのは高圧付加によりガラス中に欠陥が生成し, そのため銀コロイドの結晶核形成が促進されるためと考えられる. なお, ガラスをいったん高温で加熱したのち室温で加圧すると大きい銀コロイドが析出し, そのためガラスは灰色または暗色になることが確かめられた.

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Na₂O 15, B₂O₃ 65, SiO₂ 20モル%の組成のガラスに遷移族金属酸化物を添加し, 紫外線を照射して発生する応力を測定した. 添加物を効果によって分類すると, A: 少量添加では応力を増加し, ついで極大を経て1-3g/100gガラスで応力が零になる (V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Nb, Mo, Wの酸化物: なおCe, Uの酸化物も同様), B: 少量添加で応力を減らすが, かなり大量加えても零にはならない (Y, Zr, Hfの酸化物), C: 添加量とともに応力は単調に零まで減少する (Ti, Taの酸化物). 二, 三の試料について, 応力発生のための光量子エネルギーのしきい値を測ると, 5.5eV (波長220mμ) で無添加のものと同じであった. A群の場合には添加イオンの励起によって網目構造内の電子分布が変って化学結合が変化すると考えて, 添加イオンの影響を説明できる. 他種のものについては未解決である.

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