MeV領域の高エネルギーイオン注入技術の,シリコンデバイスヘの応用について述べる.高エネルギーイオン注入により,シリコン基板の数μmの深さに直接不純物をドーピングすることか可能になり,ソフトエラーやラッチアップなどの種々のデバイス特性の向上を意図して,基板あるいはウェルの不純物分布を最適化する"基板エンジニアリング"という手法がもたらされた.また,高エネルギーイオン注入により発生する結晶欠陥が,微小欠陥や重金属をゲッタリングすることが見いだされた.ドーパント自身によるゲッタリング(self-gettering)や,酸素,炭素などのイオン注入によるゲッタリング(proXimity gettering)を積極的に利用して,高濃度埋め込み不純物層の形成が可能になりつつある
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