-
原稿種別: 表紙
1993 年 17 巻 63 号 p.
Cover1-
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
-
原稿種別: 目次
1993 年 17 巻 63 号 p.
Toc1-
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
-
W.K. Park, H.K. Kim, M.S. Yang, S.C. Kim, I.G. Lin, S.W. Rhee
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
1-5
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
Polysilicon TFTs with the stacked gate oxide have been investigated by the variations of gate oxide process condition. The first layer of gate oxide was thermally grown thin oxide and the second layer was CVD oxide. With AFM measured the surface roughness of polysilicon which is believed to be a dominant factor for the device performance. Not only the thickness of thermally grown oxide, but also the temperature of CVD oxide process affects the interface roughness between polysilicon and gate oxide. The use of the stacked gate oxide which consists of 10nm thermal oxide and low temperature CVD oxide provided the improved performance of polysilicon TFT.
抄録全体を表示
-
H.C. Cheng, M.J. Tsai, Y.H. Tai, S.Y. Wang
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
7-11
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
Electrical characteristics of polycrystalline silicon thin film transistors (TFTs) have been significantly improved using plasma hydrogenation. Different mole fractions of hydrogen diluted with nitrogen to perform the plasma passivation of TFTs were also investigated. The nitrogen-containing hydrogen plasma treatment showed better passivation effect than that for the pure hydrogen plasma. Oxygen plasma was also introduced to conduct the passivation effects and compared with the conventional hydrogen plasma. Pure oxygen plasma treatment showed a comparable or even better device improvement than pure hydrogen plasma passivation did. The results were attributed to the double-bond passivation and the grain growth enlargement after the subsequent annealing.
抄録全体を表示
-
K.C. Hsu, B.Y. Chen, H.T. Hsu, K.C. Wang, T.R. Yew, H.L. Hwang
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
13-17
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
Microcrystalline silicon films were deposited by diluted-hydrogen method and hydrogen-atom-treatment method at 250℃ in a plasma enhanced chemical vapor deposition system and they were characterized by nuclear magnetic resonance. Raman spectroscopy, and optical bandgap measurements. One-mask a-Si:H thin film transistors (TFT's) were fabricated with those novel materials as the channel layer. The highest electron mobilities of the TFT's fabricated by diluted-hydrogen method and hydrogen-atom-treatment method were 1.23 and 1.04 cm^2/V・s, respectively without any thermal treatment steps.
抄録全体を表示
-
Jin Jang, Byeong Yeon Moon, Kyung Ha Lee, Jung Hyun Kim, Donggjl Kim, ...
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
19-23
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
We have studied the performance improvement of atmospheric pressure (AP) CVD a-Si thin film transistors. The N_2 plasma treatment and hydrogenation improve the performance of APCVD a-Si TFT significantly. The ion doped a-Si layer was used to make ohmic contact for the inverse staggered type TFTs. We obtained the field effect mobility of 1.05 cm^2/Vs and the threshold voltage of 6.3V. Therefore, we can increase the production throughput of a-Si TFT arrays by using APCVD a-Si and SiO_2 layers
抄録全体を表示
-
M.J. Tsai, Y.H. Tai, F.S. Wang, M.S. Feng, H.C. Cheng
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
25-29
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
Thin film transistors (TFTs) with various active polycrystalline silicon (poly-Si) layers fabricated using low temperature furnace annealing, high temperature furnace treatment, and laser recrystallization technique were investigated. Hydrogen plasma treatment for 30 min was performed to find the hydrogen passivation effects on the different poly-Si film structures. A dendritic structure was formed for the LPCVD amorphous-Si films after low-temperature furnace annealing. However, an equi-axised structure was obtained for the LPCVD silicon films deposited at 625℃. Consequently, TFTs With dendritic active layer obtained from the long-time, low-temperature annealing also possessed the better electrical characteristics in the passivation treatment. It is attributed to its larger grain sizes and the vague grain boundaries.
抄録全体を表示
-
Ki-Ran Hong, Chang-Seop Koh, Hyun-Kyo Jung, Dong-Keun Jung, Song-Yop H ...
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
31-35
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
Recently the demand for large and fiat CRT and high definition CRT is remarkably increased. Then the development of high performance electron gun is essentially required. This paper describes a 3-Dimensional technique for the optimum design of the in-line electron gun. The boundary element method is used in the 3D electric field analysis, and the evolution stratege, which is a method for finding a global minimum, in the optimization. The method is applied to finding a minimum beam spot size on the exit of the gun, employing the major and minor radii of elliptic aperture as design variables.
抄録全体を表示
-
Chi-Fang Huang
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
37-41
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
In this paper, a procedure is described what had been done in constructing a simulation system for deflection yoke in CRT (Cathode-Ray-Tube) by using a commercial software package. First of all, the work of coil conductors establishment is presented, which is to simulate the winding of a true deflection yoke as the magnetic field source. Next, combined with a measured model of ferrite core, the field parameters, of both of line and frame deflection field, can be abstracted in this magnetic field computation system, which are absolutely needed for the electron-optics performance evaluation on the CRT screen. Simulation results are presented.
抄録全体を表示
-
C.M. Lai
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
43-48
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
The market trend for color display tubes requires larger screen size (to prevent character too small), high resolution (that mean fine pitch, good spot and good convergence), beautiful and stable image, better contrast, and concerned about user comfort and safety. To meet such severe requirement, color display tubes have to keep upgrading technology.
抄録全体を表示
-
Keith C.T. Chen
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
49-55
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
For CAD/CAM CRT monitors, better convergence is one of the important issues to indicate the performance. Mis-convergence can be reduced electronically by adding suitable waveforms into multipoles (also called convergence coils), mounted on the neck of CRT. In this paper, we will explain several approaches that were developed in our orgination. These two-dimensional waveform generators used in monitors are : The bit-map approach, Digital convergence control I.C. ('DCONV'), and Translinear processor (or vector processor) . These approaches are distinguished in the following aspects: 1) The synchronization of the output waveform to the scanning process. 2) The order of complexity of the output waveform. After correction, mis-convergence will be beyond perception. Most of the discussion will be focused on the bit-map approach.
抄録全体を表示
-
George J. Yang
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
57-60
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
A new automatic alignment and inspection system product has been developed for monitor manufacturing. It characterizes a mechanical fixture with operating time less than 2 seconds. It uses a calibration method that enables accuracy of 0.4mm. It replaces the expensive color analyzer by the CCD camera and intelligent color software. The automatic alignment speed is 4 times that of the manual alignment. The investment return for monitor manufactures is expected to be very high.
抄録全体を表示
-
前田 浩二, 枦 真幸, 山崎 孝, 吉川 周憲, 飯村 靖文, 小林 駿介
原稿種別: 本文
1993 年 17 巻 63 号 p.
61-65
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
強誘電性液晶(FLC)ライトバルブを用いたHopfield型の光ニューラルネットワークについて研究を行っている。これまでにニューロン数が4個のシステムにより基本動作の確認をしている。しかし本システムはライトバルブ及び非線形処理素子として使用しているFLCセルの性質によりHopfieldモデルと全く等しいといえない。従ってニューロン数及び学習パターンを増やしたときに期待通りに動作するかは予 想出来ない。そこで本システムを数式によって表現し、システムの動作を解析することを試みた。作製したシステムはニューロン数が9個でニューロン間の結合荷重を固定型の光学マスクによって表現した。
抄録全体を表示
-
平井 良彦, 高取 憲一, 畑田 頼子, 住吉 研, 金子 節夫
原稿種別: 本文
1993 年 17 巻 63 号 p.
67-72
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
TN-LCDは視角依存性のため階調表示が特に上下方向で反転する。これを抑えるため、配向領域を2分割した相補型(C-)TNを開発した。このC-TNは2分割領域が互いに相補するため、上下方向の広視野を実現した。このC-TNでは配向分割をTFT基板上の1回のPRのみで行う為、これによる開口率低下はわずかである。
抄録全体を表示
-
貴堂 靖昭, 倉林 裕之, 桑原 道夫, 岡田 裕之, 女川 博義, 宮下 和雄
原稿種別: 本文
1993 年 17 巻 63 号 p.
73-78
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
高速応答(数100kHz)・低電圧駆動(数V)が可能な強誘電性液晶を用いた光変調素子(FLCLM)の周波数特性について検討した。光通信応用を考えた際のシステム構成、必要条件を述べた後、高周波動作上限について議論した。実験的には,変調動作に必要なヒステリシスの無い、直線性の良い静特性を得るとともに、周波数特性に関しては、25℃で遮断周波数300kHzが得られ、温度上昇に伴い改善されることを確認した。また、音声情報の伝送実験を行い、実際に簡易型の液晶変調器が実現できることを示した。
抄録全体を表示
-
山口 留美子, 佐藤 進
原稿種別: 本文
1993 年 17 巻 63 号 p.
79-84
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
高分子分散型液晶(PDLC)素子は、電圧オフ時の光散乱状態から電圧印可によって光透過状態となり、偏光板が不要で大面積化が容易な表示素子として注目されている。近年、ある種のPDLC素子において、電圧除去後も光透過状態が長期間保持されるメモリ効果が見出され、熟書き込み表示素子へ応用できることが明らかとなっている。本研究では、PDLC素子内部に反射層を設け、オフ、オン、メモリの各状態における光散乱及び反射特性の測定を行った。また、これらのセル厚依存性や、透過及び反射スペクトルを測定し、反射型表示素子としての熱書き込み型PDLC素子の検討を行った。
抄録全体を表示
-
飯村 靖文, 小林 紀彦, 阿部 裕幸, 小林 駿介
原稿種別: 本文
1993 年 17 巻 63 号 p.
85-89
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
我々はTN液晶セルにおけるねじれ角測定のための新しい光学的方法を提唱してきた。この測定方法をポリイミドLB膜により配向された5CB液晶の方位角方向アンカリングエネルギー測定に応用し、方位角方向アンカリングエネルギーの値として、累積条件により2〜10×10^<-6>N/mの値を得た。この方位角方向のアンカリングエネルギーの値は、従来知られている極月方向アンカリングエネルギーに比べて一桁から二桁低い値である。
抄録全体を表示
-
Yuh-Ga Gong, Jeen-Yuan Chiang, Jia-Shyong Cheng, Ting-Chiang Hsieh, Ch ...
原稿種別: Article
1993 年 17 巻 63 号 p.
91-
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー
Materials durability is an important factor in designing projection LCTV. A series experiment indicates that fluorinated and partial fluorinated liquid crystals both perform stable properties of electric resistance, threshold voltage, and saturation voltage under high temperature /high humid storage, thermal cycle, and low temperature storage tests. A noticeable curtailment of response time was observed for all the test sample in various environment tests. However, partial fluorinated liquid crystal losses more contrast ratio in thermal cycle test against full fluorinated liquid crystals.
抄録全体を表示
-
原稿種別: 付録等
1993 年 17 巻 63 号 p.
App1-
発行日: 1993/10/27
公開日: 2017/10/06
研究報告書・技術報告書
フリー