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原稿種別: 表紙
1994 年 18 巻 62 号 p.
Cover1-
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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原稿種別: 目次
1994 年 18 巻 62 号 p.
Toc1-
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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山口 留美子, 数藤 直彦, 佐藤 進
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 62 号 p.
1-6
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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紫外線硬化型樹脂を用いたポリマーボールタイプのモフォロジーを示す高分子分散型液晶素子において、素子作製時の紫外線照射時間が素子の駆動電圧や光学特性(メモリ効果)に与える影響を測定した。その結果、駆動電圧が最小に、メモリ透過率が最大になるような紫外線照射時間が、種々の紫外線強度において明らかとなった。また、最適な紫外線照射時間を知るために、紫殊線照射時(高分子と液晶の相分離時)における素子の抵抗値の変化を観測する手段が有効であることが示された。
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西川 通則, 松木 安男, 別所 信男, 飯村 靖文, 小林 駿介
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 62 号 p.
7-11
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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アクティヴマトリクスLCD用のポリイミドの合成と特性評価及び液晶配向特性について報告する。本研究で合成されたポリイミドは有機溶媒に可溶で、180℃の焼成温度で十分に使用可能になる。液晶の配向については、一方向性配向、プレティルト角の発生、電圧保持率で良好な性質を示し、広く実用されるに十分な特性を持っている。
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権 純凡, 韓 官栄, 内田 龍男
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
13-17
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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A new optical method for the measurement of liquid crystal pretilt angles has been developed. Using this method full range of pretilt, 0℃~90℃ can be accurately determined by the polarization direction, providing no optical birefringence inside homogeneously aligned liquid crystal cells, of obliquely incident light to the cells. The measurement principle is described in detail and the optimum measurement conditions including the measurement accuracy of the method are analyzed.
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W.S. Park, W. Kim, D. Kang, J.H. Kim, H.H. Shin, S.B. Kwon, S.H. Ahn
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
19-24
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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In FLTN-LCDs whose LC layers are twisted less than 90° with retardation film, high contrast ratio, sufficient gray scale and wide viewing angle conditions are obtained by computer simulation. Also, electro-optical characteristics are compared optimized FLTN-LCDs with conventional TN-LCDs in NB and NW modes respectively.
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長谷部 浩史, 竹内 清文, 高津 晴義
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 62 号 p.
25-30
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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室温においてネマチック相を示すUVキュアラブル液晶を配向させた状態で、紫外線を照射することにより光重合させて光学異方性高分子を作製した。得られた光学異方性高分子は液晶骨格の配向を維持しており、しかも耐熱性にもすぐれていることがわかった。また、液晶の配向技術を適用することにより、内部にスーパーツイステットネマチック構造、ハイブリッド構造、ホメオトロピック構造を有する光学異方性高分子や場所ごとにリタデーションを制御した光学異方性高分子を作製することができた。これらの光学異方性高分子は、液晶表示素子の光学補償や視角依存性の改善に有用であると考えられる。
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J.Y. CHIANG, S.K. Hwang
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
31-37
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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That LCD color display can be widely distributed in the next generation is contingent to the price; however, color filter still costs one-fifth of productive cost. How to slash down the productive cost of color filter is the topic to study. There are so many methods to produce color filters. In ERSO, we choose pigment dispersion method as our best approach. During conventional exposure method, the yield is not so satisfied for makers. In this paper we propose a back-side exposure process for color filter fabrication. From the point of enhancing throughput and improving yield, back-side exposure method is able to solve some of the fabricating problems. I would later on discuss detail fabricating process and result of that.
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Jinn-Chou Yoo, Shin-Ming Chen, Szu-Fen Chen, Han-Ping D. Shieh
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
39-43
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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Issues in fabricating color filters with all-dielectric optical interference technique are studied. The color filters are constituted of multiple thin layers of SiO_2 and TiO_2 deposited alternatively to form bandpass or edge filters. Advantages of all-dielectric filters, such as high transmittance, low absorption, high color purity, and good color reproduction, are discussed and compared with dye-gelatin filters. Thickness variations of thin film layers have been analyzed to assess the optical tolerance on the fabrication of color filters using physical vapor depositions.
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Ming-Jiun Liaw, Kun-Wei Lim, Han-Ping D. Shieh
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
45-50
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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Color rendering is an important parameter to evalute the performance of a display. Uniformity of color rendering by digital driving methods of equal voltage change (EVC) and equal transmittance change (ETC) were studied. For each driving scheme, color differences of 4096 RGB digital combinations using CIELUV are caleulated. Histograms of the number of diseriminated colors v.s. hue angle are compared. More uniform color rendering of a LC module can be achieved by ETC driving.
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前田 浩二, 枦 真幸, 吉川 周憲, 飯村 靖文, 小林 駿介
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 62 号 p.
51-55
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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液晶素子を利用してハードウェア化されたホップフィールド型ニューラルネットワークについて報告する。本システムではFLC素子によってニューロン出力を表現すると同時に非線形処理を行う。FLC素子と結合荷重を表すTN素子との間で偏光を利用してベクトルー行列演算を行う。TN素子は相関学習法を効率よく実現することが可能で、自己想起型連想記憶の動作に成功した。さらにシステムの動作近似式を求め、これを基に動作解析を行い、本システムがホップフィールド型モデルと同様な情報処理を行えることを確認した。
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馮明憲 , 羅〓錦 , 梁佳文 , 李秋徳 , 戴亞翔 , 鄭晃忠
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
57-66
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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Large size diagonal multicolor LCD is of interest for note-book PC development at present market trend. However, when the highly resistant materials such as Cr or Ta is used as gate bus line, the gate pulse is delayed and its waveform is distorted at the other end of the panel as gate bus line panel display. Al is a material with low resistivity and ' suitable for large panel display, however it gives rise to hillocks due to different thermal expansion coefficient between Al and SiNx during thermal processing and generates defects resulting in shorts between the electrodes. A12O3 film has been proposed to be the best pretective layer against hillock formation prepared by anodic oxidation. In this study. Al2O3/SiNx dielectric films suitable for large size a-Si:H TFTLCD have been prepared by anodization and PECVD. Al2O3 layers were formed at various pH value. and H2O% in anodic solution.
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Sung Ki Kim, Keun Soo Lee, Jeong Hym Kim, Chan Hee Hongi, Choochon Lee ...
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
67-72
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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We have studied the performance and stability of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film transistors (TFTS) using a single layered SiO_2 gate insulator. The effects of H_2, NH_3, N_2 plasma exposures on the SiO_2 on the performance and stability of a-Si:H TFT have been investigated. The NH_3 or N_2 plasma exposure improves the performance of a-Si:H TFT significantly, resulted from the nitrification of SiO_2. On the other hand, the H_2 plasma exposure on SiO_2 surf:ace gives little improvement in the performance of a-Si:H TFT. The stability of the a-Si:H TFT with N_2 or NH_3 plasma treated SiO_2 is much better than the a-Si:H TFT with no plasma treatment.
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戴亞翔 , 蘇峰正 , 馮明憲 , 鄭晃忠
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
73-78
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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Considering the thin film transistors (TFT's) in the present applications In active matrix liquid crystal displays (AMILCD), the effects of the interface states and the fixed charges at both the rear and front interfaces, i.e., the semiconductor surface apart from and on the gate insulator, respectively, for the thin hydrogenated amorphous silicon (α-Si:H) films have been studied. It is found that the rear interface fixed charges and states will predominantly influence the electrical characteristics of the TFT's as much as the front interface ones do if the semiconductor films are thin enough.
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Cheol-Min Park, Byung-Hyuk Min, Min-Koo Han
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
79-83
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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We have investigated the hydrogenation effects on the poly-Si TFTs with various multi-channel structure poly-Si TFT. Especially, we have proposed a new multi-channel structure in order to verify the dominant hydrogenation pathway and this structure employs the gate electrode is surrounded with the poly-Si active layer in the source/drain region. We have characterized the fabricated new poly-Si TFT and compared with the conventional multi-channel TFT of the identical dimensions. Compared with the conventional device, the new device is more effective for increasing the carrier mobility. As a result, we have found that the dominant hydrogenation pathway may be a diffusion through active poly-Si layer into the channel region.
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陳奇〓 , 葉〓發 , 陳泰如 , 范慶麟 , 陳俊麟 , 林學仕
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
85-90
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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Liquid-Phased Deposited (LPD) SiO_2 was successfully developed around room temperature. It's compatible with CVD SiO_2 and applied in poly-Si TFT as gate insulator and/or passivation layer at the first time. Conventional, Dual-Buffer Drain (DBD) and Self-Induced Offset (SIO) poly-Si TFT were proposed and characterized, respectively. We found device performance was effectively improved by incorporation of LPD oxide into DBD and SIO TFT, which can be therefore utilized as driver elements and switch transistors for AMLCD.
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N. D. Kim, W. H. Choi, W. B. Yoon, S. S. Kim
原稿種別: Article
1994 年 18 巻 62 号 p.
91-96
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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Characterizations were carried out on the pixel feedthrough-voltage of TFT-LCD to obtain the optimum stroage capacitance(Cst) of pixel. The contrast characteristics were measured with respect to the gate addressing voltage and pulse width, the addressing line resistance (Rg), and the storage capacitance (Cst) of pixel. The electro-optical properties of 9.4" TFT-LCD have been investigated with the design parameters of pixel.
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永田 徹也, 小村 真一, 佐藤 秀夫, 星野 稔, 長江 慶治, 早坂 昭夫, 實方 寛, J. Havens, P. Jones, D. ...
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 62 号 p.
97-101
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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偏光板が不要なNCAP(Nematic Curvilinear Aligend Phase)をMOSチップで駆動するVGAプ回ジェクタ用反射型液晶素子を開発した。画素数640×480,表示領域は対負2インチ,開口率は90%である。水平走査回路及び垂直走査回路は内蔵している。本素子の反射率は,平行光の反射をF/5.6の光学系で測定したところ7VrmsでNCAPを駆動時に38%である。この素子3枚をシュリーレン光学系及び150Wメタルハライドランプと組合せて,スクリーン光束200ルーメン,コントラスト比40以上のフルカラー画像の投射が可能である。
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原稿種別: 付録等
1994 年 18 巻 62 号 p.
App1-
発行日: 1994/10/28
公開日: 2017/10/13
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