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原稿種別: 表紙
1994 年 18 巻 2 号 p.
Cover1-
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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原稿種別: 目次
1994 年 18 巻 2 号 p.
Toc1-
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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藤原 正, 武田 雄二, 越智 統彦, 青野 正明
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
1-6
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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1個の蛍光ランプの発光色を制御するため、蛍光ランプ(水銀共鳴線)用蛍光体とプラズマディスプレイ(キセノン共鳴線)用蛍光体を塗布し、水銀とキセノンの混合気体を封入した放電管を高周波とパルスで放電させるときの発光特性を求めた。水銀共鳴線用蛍光体は高周波放電において強く発光し、キセノン共鳴線用蛍光体は、水銀共鳴線用蛍光体に比べてパルス放電において強く発光する。しかし、水銀とキセノンの励起準位が接近しているため、水銀のみあるいはキセノンのみを放射させることができない。その結果、蛍光体は高周波とパルスのいずれにおいても発光して、変色範囲が狭いと予想される。
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吉岡 正樹, 高谷 泉, 藤原 邦彦, 大嶋 啓史, 数永 健二, 友行 昭夫
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
7-12
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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Ar/Hgを主とする従来の小型蛍光ランプは低温での輝度低下、色ずれなどの問題があった。新しく開発した希ガス平面蛍光ランプは、 Ar/Xeガスを主に、電極スパッタ防止のためにHgを加えており、低温での輝度、輝度立ち上がり特性及び色ずれが改善された。さらに高温では、 水銀かbの紫外線の寄与により輝度が増加する効果も得られた。
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遠藤 喜重, 小野 雅彦, 山田 俊宏, 河村 啓溢, 小原 克美, 宮崎 正広, 河村 孝男
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
13-16
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
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超微粒子を用いた低反射帯電防止膜をディッピング塗布法により形成する技術を新しく開発した。 この膜は,単粒子配列されたSiO_2超微粒子による低反射膜と,導電性を有するSnO_2超微粒子による帯電防止膜の二層膜で構成されている。膜の最外層に形成された超微粒子による微小凹凸によって屈折率が連続的に変化することにより表面の反射を防止することができる。 また形成された膜は,優れた低反射,帯電防止特性を示すと共に高解像度,高コントラスト特性を示す。
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大野 勝利, 楠木 常夫, 小沢 兼一
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
17-22
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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CRTコントラスト改善方法には、顔料蛍光体の利用による方法と低透過率パネルの利用による方法がある。前者の方法は顔料が発光材料でないために生じる輝度低下を考慮すると大巾なコントラストは改善出来ない。一方、後者の方法は、外光反射の低下がパネルの透過率の2乗に反比例する為、コントラストは大巾に改善できる。しかしながら両者とも輝度低下は免かれない。本論文はパネルと蛍光体層の間に、各発光色に応じた無機顔料分散型カラーフィルターによりCRTの輝度、コントラスト、色度の改善に関するものである。
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李 成律, 中西 壽夫, 李 茂永
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
23-28
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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Baを電子放射源とする電子銃の不要電子放射を調べるために、陰極、G1(制御電極)、陽極からなる三極部を構成し、陽極孔走査法(anode-hole scanning method)を用いて、電子ビーム分布を測定した。ビーム電流の測定値の処理を工夫することによって、G1電極から放出されるグリッドエミッション分布の測定が可能となった。グリッドエミッションは陰極の活栓化過程から出現する。G1電極のビームアパーチャ付近に酸化物被膜を形成すると、この不要電子放射は抑制することが可能である。
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関 紳一郎, 田谷 周一, 近藤 健一, 高橋 恒, 藤井 雄幸, 外村 毅, 山川 禎康, 高橋 守
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
29-33
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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分散型EL素子の絶縁層を、従来のBaTiO_3粉末を有機バインダー中に分散したものに代えて、バリアー型陽極酸化Al_2O_3皮膜を用いることにより、高輝度,高効率に加えて、発光効率の温度特性に優れたE L素子が得られた。この要因を探るため、絶縁層の等価回路をコンデンサーと抵抗の並列回路で組み、発光層のみのセルと接続し、容量と抵抗の値によって輝度,効率がどのように変化するかを測定した。この結果、E L素子にとって理想的な絶縁層は大容量,低損失のものであることがわかり、バリアー型陽極酸化Al_2O_3皮膜はこの点において優れていることが確認出来た。また陽極酸化Al_2O_3皮膜は損失の温度変化が少ないためEL素子の発光効率の温度特性が改善された。
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中西 洋一郎, 内藤 真也, 中村 高遠, 畑中 義式
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
35-40
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
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電子ビーム蒸着法により作製したZnF_2:Mn薄膜の構造及びPL特性と作製条件との関係を検討した。10^<-6>Torr台の真空中では、400℃以上の高い基板温度で作理した薄膜は一部が酸化されてZnOとなっていることが確認された。しかし、10^<-8>Torr台の真空中では500℃基板温度でも酸化は認められなかった。基板温度、真空度共に高い程、薄膜の結晶性は向上した。ZnF_2:Mnを発光層、CaF_2を絶縁層とする二重絶縁型フッ化物薄膜EL素子を作製し、発光特性を測定した。基板温度が高くするに従って発光強度は向上した。しかし、高い基板温度では絶縁耐圧が低下した。また、CaF_2とITOとの間で相互拡散が行われ、これも耐圧の低下の原因となっていることがわかった。SiO_2層を挿入することにより相互拡散は抑制されることがわかった。
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藤本 和志, 松原 邦夫, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
41-46
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
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SrS:Ce薄膜EL素子の高輝度化を目的として、高いイオウ圧雰囲気でSrS:Ce発光 層を成膜した。X線回折の測定の結果、基板温度550℃で最も結晶性のよい薄膜が得られ た。しかし得られた最高輝度はイオウ圧、基板温度によらずほぼ500-600cd/m^2であった。 この試料をAr-S雰囲気中630℃で熱処理した結果、輝度は上昇し、最高輝度1000cd/m^2を 得た。X線回折、PLスペクトルを測定したところas deposited-試料に比べ、その強度が 著しく増大した。またSEM観察を行った結果、as deposited-素子とは異なる表面、及び 断面の形状が認められた.
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井上 智, 喜種 佳司, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
47-52
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
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ZnS:Mn薄膜EL素子とSrS:Ce薄膜EL素子の電気的特性の評価として、Q-V特性とQ-Fp特性の測定を行なった。駆動電圧波形として、台形波パルスを用い、各々の測定結果について比較検討を行った。その結果、印加電圧波形のdv/dtを変化させるとQ-Vループのターンオン電圧がSrS:Ce薄膜EL素子では変化するのに対し、ZnS:Mn薄膜EL素子についてはあまり変化しないことを見い出した。また、輝度一移動電荷量特性は両方の素子ともdv/dtにほとんど依存しなかった。これらのことよりSrS:Ce薄膜EL素子の動作機構を考える場合、発光層中の空間電荷の発生を考慮する必要があることがわかった。
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三浦 登, 小林 秀幸, 小川 貴由, 小椋 彰, 萩原 貴将, 松本 皓永, 中野 鐐太郎
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
53-58
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
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Tm^<3+>イオンから明るい青色ELを得るために種々のTm添加EL素子を検討した。 ZnS:Tm^<3+>EL素子の輝度向上は困難と考えられる。Tmを添加する母体材料としてLa_2O_2Sが有望ではないかと考えLa_2O_2S:Tm^<3+>蛍光体の薄膜化、EL素子について検討した。La_2O_2S:Tm^<3+>薄膜は得られたが、EL素子の輝度は非常に微弱であった。
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西窪 敏貴, 森 敏和, 内池 平樹
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
59-64
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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今回の研究では、ZnS:TbF_3発光層を電子顕微鏡観察、及び、X線回折し、 蒸着膜形成過程の評価及び、発光中心TbF_3の膜質への影響を考察した。また、ドーピング母体として使用されるTbF_3の構造を調べ考察した。その結果、TEM像観察により、ZnS:TbF_3膜の膜成長を視覚的に確認し、これとX線回折から、T bが膜に影響を与えていることが分かり、また、TbF_3の構造を調べた結果TbF_3は斜方晶系結晶でYF_3型構造をしていることが分かった。 アニール処理によるグレインサイズの増大を視覚的に確認した。
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斉藤 覚, 長岡 修史, 長友 隆男, 大本 修
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
65-70
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
研究報告書・技術報告書
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市販品であるペリレンとポリ(N一ビニルカルバゾール)(PVCz)を用いて有機EL素子を作製した。素子は発光層をITOとMgAgでサンドイッチ(ITO/発光層/MgAg)した構造である。発光層は、ホストポリマーのPVCzにペリレンをドープしたクロロホルム溶液をITO基板上にスピンコートして製膜した。作製した素子の発光色はドーパント濃度を増加させるにしたがって、青色(ピーク波長450nm)から黄緑色(ピーク波長535nm)に変化し、最高発光輝度は青色で385cd/m^2、黄緑色で480cd/m^2であった。また、発光層をペリレン蒸着膜とした従来の二層構造素子(ITO/正孔輸送層/発光層/MgAg)では黄色の発光色が得られた。
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石川 直敏, 馬場 清, 藤本 衛, 中津 竜之, 内池 平樹
原稿種別: 本文
1994 年 18 巻 2 号 p.
71-76
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
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電界放出型ディスプレイの電極構造の研究の1つとして、Si基板を用いて電界放出型エミッタを作製した。Siのエッチングには酸溶液の場合とアルカリ溶液の場合の2通りについて行った。アルカリ溶液でエッチングするとエミッタの先端が鋭いものができた。作製した基板を用いて電界放出電流を測定し、アルカリ溶液でエッチングした方がより低い電圧で電流が流れ始めた。完成したエミッタを真空アニールするとエミッタ全面が破壊することなく、電流を繰り返し得ることができた。電流の時間変化の測定では、最初電流の変動力が大きかったが、徐々に安定する傾向が得られた。
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原稿種別: 付録等
1994 年 18 巻 2 号 p.
App1-
発行日: 1994/01/20
公開日: 2017/10/13
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