Y_2O_3:Eu,Y_2O_2S:Euを発光層とし,ZnSを電子加速層とするHI(Hot Carrier Injection Type)-ELを作成し,その励起機構を検討した。その結果,HCI-ELにおいても2重絶縁層構造ELと同じキャリアの移動が起きており,このキャリアが両側の発光層に注入され発光中心を励起しているものと考えられる。また,発光層に注入されたキャリアの90%はZnS層との界面から約13nm以内で発光中心の励起能力を失うこと,印加電圧によって注入されるキャリアの侵入深度が変わることを裏付ける実験結果が得られた。
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