TFT-LCDに用いる実サイズのa-Si TFT(W/L=30/11μm)のゲート, ソース間容量(Cgs)を, ディスプレイ駆動条件で評価する手法を開発した, Cgsをゲート, ソース電極間のオーバーラップ容量とTFTのON, OFF領域でのMOS容量からなると仮定し, 電荷保存則からフイードスルー電圧の理論式を示す, 時間領域過渡応答の実測結果から理論式中のパラメータを抽出する.時間領域での特性から求めるCgs評価手法は, 周波数依存性などを全て含んだ電圧-容量特性のモデルを提示できるので, フイードスルー電圧を高精度に計算でき, 回路網解析ツールによる高精度の画素電位予測が可能となる.
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