テレビジョン学会技術報告
Online ISSN : 2433-0914
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19 巻 , 9 号
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  • 原稿種別: 表紙
    1995 年 19 巻 9 号 p. Cover1-
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
  • 原稿種別: 目次
    1995 年 19 巻 9 号 p. Toc1-
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
  • 橋本 徹, 加藤 一久, 長谷部 浩史, 高津 晴義, 岩本 宜久, 飯村 靖文, 小林 駿介
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 1-5
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    液晶中にポリマーネット構造を形成しバルク部分における液晶分子の配向を制御する、液晶性高分子安定化(LCPS)法について報告する。LCPS法によってラビングを行わないようなセルにおいても任意のティルト配向が得られることがわかった。このLCPS法をアモルファス(a-)TN-LCDに採用すると、リバースティルトディスクリネーションが完全に固定化される現象が見られた。この結果より、従来のa-TN-LCDで起きていた表示切り替わり時の輝度の揺らぎを抑制でき、表示の見易さの向上が図れた。また、レスポンス特性の向上も確認された。これらの効果は、a-TN-LCDの特長である等方的な視角特性を犠牲にすることなく達成されることがわかった。
  • 高取 憲一, 住吉 研, 金子 節夫
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 7-12
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    広視野角ディスプレイとして期待されるマルチドメインTN中でのスプレイTN配向の安定性を実験とシミュレーションにより調べた。コノスコープ像上での光透過率の測定より、高電圧印加時にスプレイTNがリバースツイストTN配向に変化することが分かった。さらに、スプレイTNの配向安定性は、(1)実験ではスプレイTNとリバースツイストTNが共存する電圧、(2)シミュレーションでは両構造のエネルギーが等しくなる電圧、として定義される"均衡電圧"により評価できた。狭いツイスト角、短いカイラルビッチ、低いプレチルト角が均衡電圧値を上昇させスプレイTNを安定化すことが分かった。
  • 小今 井裕, 杉山 貴, 橋本 徹, 飯村 靖文, 小林 駿介
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 13-18
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    今日、携帯型情報端末機器の軽量化、低消費電力化が望まれるに従い、反射型LCDが注目されている。そこで我々は、偏光板を必要としないGHモードにノンラビングプロセスによるランダム配向を利用したアモルファス(a-)N^*-GHを提案し、検討を行った。a-N^*-GHモードの採用により、アモルファス配向の特長である広くかつ等方的な視角特性が得られることはもちろん、低駆動電圧で明るさを犠牲にせずに高コントラスト化が図れることを見出した。また、高ツイスト化してもストライプドメインが発生せず、ヒステリシスも持たないため中間調表示も可能であることがわかった。
  • 千代田 博宜, 坪井 當昌
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 19-24
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    LCDカラーフィルター用ブラックマトリックスの形成方法として、微粒子黒鉛を水中に懸濁した塗料を用いて、リフトオフ法により薄膜で高遮光度、低反射率のBM膜を開発した。このBM膜は塗膜厚0.5μmで遮光濃度3.0以上を示し、反射率は約7%である。水性の黒鉛塗料であるため, 作業環境を害することもなく、リサイクルにより材料の経済的な使用も可能である。
  • 菅原 淳, 清木 正寛, 三浦 靖憲, 渋沢 誠
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 25-30
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    アモルファスシリコンTFT-LCDにおいて、光リーク電流の少ないTFTを開発した。このTFTでは、従来の製造工程を変更せずにTFT形状の工夫によって光リーク電流を低減することができる。このTFTの開発に先だって、まずTFTのチャネル内における光リーク電流の径路がチャネル端部であることを実験的に見い出した。そして液晶セル内におけるTFT上の不均一な入射光量分布を解析的に算出した。光リーク電流はこの入射光量分布に大きく依存する。これらのことがら、チャネル端部のゲート電極のみを大きくすることにより、そこへ入る光量を減らし、光リーク電流を低減した。この効果は液晶セル内のTFT特性によって確認された。
  • 大内田 裕史, 御福 英史, 後藤 令幸, 中川 直紀
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 31-36
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    TFT-LCDに用いる実サイズのa-Si TFT(W/L=30/11μm)のゲート, ソース間容量(Cgs)を, ディスプレイ駆動条件で評価する手法を開発した, Cgsをゲート, ソース電極間のオーバーラップ容量とTFTのON, OFF領域でのMOS容量からなると仮定し, 電荷保存則からフイードスルー電圧の理論式を示す, 時間領域過渡応答の実測結果から理論式中のパラメータを抽出する.時間領域での特性から求めるCgs評価手法は, 周波数依存性などを全て含んだ電圧-容量特性のモデルを提示できるので, フイードスルー電圧を高精度に計算でき, 回路網解析ツールによる高精度の画素電位予測が可能となる.
  • 綾 洋一郎, 佐野 景一, 納田 朋幸, 桑原 隆, 岩多 浩志, 栗山 博之, 脇坂 健一郎, 木山 精一, 津田 信哉, 米田 清
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 37-42
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    イオンドーピング法とエキシマレーザ活性化法を用いたドープpoly-Si膜の形成について検討した。その結果、室温プロセスにおいて、膜厚50nmのpoly-Si膜でシート抵抗80Ω/□(ρ=4×10^<-4>Ω・cm)を得た。この低抵抗化の要因として、活性化後も膜中に残余した水素(0.2at%)も寄与していることを明らかにした。また、エキシマレーザ活性化重複部でのシート抵抗の高抵抗化の要因は、結晶性の低下に起因しており、活性化時に基板加熱(〜300℃)することで、均一化が可能であることを明らかにした。さらに、高品質poly-Si膜を用いたTFTに本手法を適用し、高電界効果移動度440cm^2/V・sを実現した。
  • 湯田 真次, 北井 健一, 瀬川 泰生, 佐々木 昭史, 置田 雄二
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 43-48
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    一回だけのイオンドーピングでソース・ドレイン及びLDD領域を同時に形成するという簡便なプロセスを用いることによって、良好なTFT特性を有するLDD構造Poly-SiTFTを作製した。ここでは、大面積処理に有効な、非質量分離であるイオンドーピングを用い、深さ方向にブロードなP濃度プロファイルを利用してLDD濃度を制御し、TFT特性の改善に成功した。このLDD構造TFTは8桁以上の高いオン/オフ比および良好な負バイアス信頼性を示した。
  • 安崎 利明, 阪井 康人, 吉井 哲朗, 斉藤 英昭, 竹村 和夫, 楠田 幸久
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 49-54
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    我々はガラス表面に設けた配線電極による段差を、選択成膜法による埋設処理で完全に解消できることを見いだした。この新しい電極の埋設微細加工の方法は、フォトリソグラフィと成膜技術のみで構成され、ガラスエッチング、リフトオフ、研磨などの複雑な処理を必要としない。実験では100mm角のガラス基板にCrの電極パターンを埋め込み、表面段差を±5nm程度以内にコントロールできた。埋設の手順は : (1)ガラス基板上に電極を成膜する。(2)電極をパターニングしそのとき使用したレジストを残す。(3)LPD法によりハターンの隙間にSiO_2を成膜する(このときレジスト表面にはSiO_2は析出しない)。(4)レジストを剥離する。以上で電極の埋設は完了である。この技術はフラットディスプレイなどの比較的大面積のデバイスにも適しており、今後様々な用途開発が期待される。
  • 広瀬 貴司, 小林 郁典, 山本 睦, Scott M. Bruck, 坪井 伸行, 美濃 美子, 岡藤 美智子, 田村 達彦
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 55-60
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    ゲートおよびソースバスラインに新規なAl合金を用いた、高開口率のa-Si薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(a-Si TFT-LCD)を開発した。ゲートバスラインにはAl-Zr合金を、ソースバスラインにはMoとの積層構造としたAl-W合金を用いた。これら新規なAl合金を用い、EWS対応の画素サイズ : 87μm×261μmのa-Si TFT-LCDにおいて、開口率57%が得られた。
  • 広田 真一, 北沢 倫子, 浅井 義裕, 竹林 希佐子, 久保 明, 樋口 豊喜, 鈴木 幸治
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 61-66
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    TFT-LCDの低消費電力化を目的に、高開口率となる画素構造と補償駆動を組み合わせた9.5インチTFT-LCDを検討した。開口率を上げるための要素技術として、シールドCs構造、Csオンゲート構造を採用した。この構造では、高開口率が得られる一方で、画素電位のレベルシフトに関わる様々な問題も起こってくる。そこで、これらの問題を解決するために、レベルシフト補償駆動法を適用した。これらを組み合わせることにより、試作した9.5インチTFT-LCDで70%の高開口率を達成し、良好な特性を得ることができた。
  • 平野 直人, 池田 直康, 山口 弘高, 西田 真一, 平井 良彦, 金子 節夫
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 67-72
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    完全自己整合型a-Si : H TFTを用いた33cm対角高精細TFT-LCDを開発した。a-Si : H層の薄膜化によるTFTの光OFF電流低減技術により、100 : 1の高コントラストを達成した。さらに、TFTの完全自己整合技術によるゲート-ソース電極間寄生容量の低減・均一化により、中間調表示でも分割露光境界線の全く見えない高品位画像を実現した。
  • 中田 行彦, 金谷 吉晴, 枅川 正也
    原稿種別: 本文
    1995 年 19 巻 9 号 p. 73-78
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
    a-Si TFT-LCD技術の開発競争が激しくなってきている。これらの技術のうち、大型・高精細パネルに適用できるTa低抵抗配線, TFTを小型化するためのn+微結晶Siのコンタクト層への適用、光照射に対するオフ電流増加を抑制するためのイオンドーピングについて述べる。これらの高機能化技術を踏まえて、21インチ大型液晶ディスプレイを開発した。これは、現在世界最大サイズの液晶ディスプレイである。
  • 原稿種別: 付録等
    1995 年 19 巻 9 号 p. App1-
    発行日: 1995/02/17
    公開日: 2017/10/13
    研究報告書・技術報告書 フリー
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