巻号一覧
前身誌
25.71
選択された号の論文の10件中1～10を表示しています
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原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (13K) -
原稿種別: 目次
p. Toc1-
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (46K) -
安田 隆哉, 浜本 隆之, 相澤 清晴原稿種別: 本文
セッションID: IPU2001-78/IDY2001-1
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーセンサ上に処理回路を統合することで, ダイナミックレンジの拡大する手法について検討している.蓄積途中に, 蓄積中間画素値と飽和閾値を比較し, 画素値を選択的にリセットする.明るさに応じて各画素の蓄積時間長を任意に制御することで, ダイナミックレンジを拡大した画像を獲得できる.本稿では, ダイナミックレンジの拡大方式について説明し, 画像のリアルタイム再構成機能を搭載し, 1フレーム内で3回までの飽和検出, リセット動作が可能な適応蓄積時間イメージセンサの設計について報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (950K) -
秋山 正弘, 花田 昌樹, 高尾 英邦, 澤田 和明, 石田 誠原稿種別: 本文
セッションID: IPU2001-79/IDY2001-1
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーn型単結晶シリコン基板上に作製したa-Si:H pin光電変換デバイスにおいて光電流をアバランシェ増倍現象可能であることを示してきた。しかし読み出し回路との積層構造の実現を考えると単結晶シリコン基板をn層とした光電変換デバイスを製作することは不可能となる。そこで単結晶シリコン基板と比較的物性が近いポリシリコン薄膜をn層としたa-Si:H pin光電変換デバイスの作製を試みた。ポリシリコン薄膜をCMPにより平坦化を行い、またその表面を酸化し、酸化膜を除去することで暗電流、光電流に対して従来のSi基板上に製作したものと同様な特性が得られた。増倍現象は観察できていないが多結晶シリコンを用いた積層型固体撮像素子の実現の目処がたった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (689K) -
渡部 俊久, 大竹 浩, 後藤 正英, 国分 秀樹, 渡辺 敏英, 江上 典文, 谷岡 健吉原稿種別: 本文
セッションID: IPU2001-80/IDY2001-1
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー固体HARP撮像素子への適用を目的として、高S/N信号読み出し回路を開発した。新しい読み出し回路は、電荷転送回路を利用した信号増倍回路とCDS回路から構成される。各列に配置された信号増倍回路は、光電変換部で発生した信号電荷を、それよりも小さな容量へ転送することで信号電圧を増倍する。プロトタイプチップを試作し、撮像実験を行った結果、従来のラインアンプ型読み出し回路を搭載した撮像素子に比べて、本回路では縦縞FPNが4.6dB、ランダム雑音が8.1dB改善できることがわかった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (613K) -
井上 哲彦, 本臼 浩行, 御子柴 茂生, 戸辺 明良, 奥 健太郎原稿種別: 本文
セッションID: IPU2001-81/IDY2001-1
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーカラーCRTに発生するラスタモアレの視認性を低減するために、モアレパターンの全画面評価を行った。対角46cm、有効画面幅360mm、高さ270mmのCRTにおいて表示解像度をQSXGA、SXGA、SVGAとしたとき、それぞれモード(2, 1)、モード(1, 1)と(2, 2)の混在、モード(1, 1)と(2, 3)の混在したモアレパターンが発生する。ガウス関数重み付け法を用いた全画面モアレパターンのシミュレーションにより、各解像度における全画面モアレパターンを統一的に評価することができた。またガウス関数重み付け法は視認輝度分布を求めているため、モアレパターンと同時にモアレコントラストも評価することができた。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1057K) -
吉松 良, 國本 崇, 本田 晋吾, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志原稿種別: 本文
セッションID: IPU2001-82/IDY2001-1
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリープラズマディスプレイパネル(PDP)用青色蛍光体BaMgAl_<10>O_<17>:Eu^<2+>(BAM)の輝度劣化の問題に着目した。新しい青色蛍光体の候補として期待しているCaMgSi_2O_6:Eu^<2+>(CMS:Eu^<2+>を用いた試作PDPパネルを作製し、BAMとのプロセス劣化・駆動劣化の比較を行った。BAMとCMS:Eu^<2+>の蛍光体粉末のプロセス劣化試験において、600℃のベーキングを施すとBAM:Eu^<2+>は初期強度の約50%まで低下するのに対し、CMS:Eu^<2+>ではほぼ劣化しなかった。試作パネルの300時間駆動後の強度維持率では、BAM panelでは約60%であったが、CMS panelは約90%と非常に良い寿命を持つことがわかった。また、CMS:Eu^<2+>の輝度改善を試み、Srを添加した。SrをCaに対して50%まで置換させると発光ピーク波長は約444nmまでシフトし、輝度の向上は得られないことがわかった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (635K) -
江原 摩美, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IPU2001-83/IDY2001-1
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー(Sr_<1-x>Ca_x)S:Cn, F固溶体蛍光体を作成し、そのフォトルミネッセンス(PL)特性のSrとCaの組成比依存性を検討した。PLスペクトルにおける発光ピーク波長はCaS:Cu, Fの420nmとSrS:Cu, Fの474nmの間で変化した。その蛍光体を使い、電子ビーム蒸着法で薄膜を作製した。薄膜のPL発光ピークは431nmから476nmまで変化した。薄膜のPL発光特性はアニール時間に依存した。固溶状態もまたアニール時間に依存し、薄膜とペレットの固溶比は異なっていた。Ar中900℃のアニールでは10分以上行うことで発光強度は増大した。しかし発光ピークは長波長シフトし、配向性も悪くなった。配向性の良い薄膜を得るには、7分以内のアニールが必要であった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1136K) -
木村 隆宏, 深田 晴己, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志原稿種別: 本文
セッションID: IPU2001-84/IDY2001-1
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーガラス基板と両面ITO透明電極の組み合わせによるSrS:Ce透明薄膜EL素子を電子線蒸着法により作製した。SrS:Ce成膜において、H_2S流量を増加させると、EL素子の輝度・発光効率が増加したが、青色の色純度は逆に低下した。この輝度や効率の増加は、硫黄過剰雰囲気でSr欠陥が生成され、SrS格子へのCe発光中心の取り込みが促進されるためと考えられる。SrS:Ce薄膜成膜後のアニールにより、顕著な輝度や効率の改善は認められないが、印加電圧の極性による電流波形の非対称性が改善された。また、SrS:Ce素子を大気雰囲気中でエージングしたところ、1kHz, 16時間エージング後の輝度は、初期値の80%であった。輝度の低下はCe^<3+>発光中心の非発光化が主な原因と考えられる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (689K) -
原稿種別: 付録等
p. App1-
発行日: 2001/11/08
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (76K)
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