マークを記録する際にて問題となる,マーク長の拡大,およびマークのCollapseの機構を検討をするため,記録過程のシミュレーションを行った.シミュレーションのモデルは,前後を磁壁で区切られた長方形の磁区を仮定し, Side-wallは考慮していない.磁壁の安定条件はHuthの式を用いた.磁壁に働く浮遊磁界のため,マーク長の拡大が起こり,浮遊磁界を小さくするとマーク長の拡大が抑えられる結果を得た.しかし浮遊磁界の減少は磁区の安定性を損ない,磁区がCollapseし易くなるという結果を得た. 0.1μmのマークを正しく記録するには,現用のTbFeCo膜の保磁力をさらに増大する必要があることがわかった.
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