巻号一覧
前身誌
23.1
選択された号の論文の33件中1～33を表示しています
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原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (13K) -
原稿種別: 目次
p. Toc1-
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (131K) -
小南 裕子, 青木 徹, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-1
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー低速電子線励起時におけるCRT用青色蛍光体ZnS:Ag, Clの表面電位の測定を行った.表面電位の測定方法として, 蛍光体試料上部にメッシュ電極を形成し, 励起電圧を一定としたときのメッシュ電流及び試料電流を観察し, メッシュ電圧依存性を調べた.その結果, メッシュ電圧を表面電位が等しくなるところで電流は共に急激な変化を示した.表面電位はゾル-ゲル法により被覆した条件によって変化し, 被覆により蛍光体における電圧降下が減少することが示された.また, 励起電圧に対する表面電位の割合の変化を調べることにより, 蛍光体表面の帯電が200V以下で顕著に起こることが確認された.また, 二次電子放出比を調べた結果, 200V以下では被覆蛍光体の方が放出比が大きいことが示された.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (583K) -
中島 宏佳, 小南 裕子, 青木 徹, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-2
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー低速電子線励起発光(CL)において色純度の優れた青色発光を示すSrGa_2S_4:Ce薄膜蛍光体を多元蒸着法を用いて作製を試み、作製した薄膜の構造及び発光特性について評価を行った。本実験ではGa_2S_3/Sr供給比の変化による発光特性の変化について検討した。さらに、薄膜の結晶性及び発光特性を改善する方法として、H_2S及びAr雰囲気中で熱処理を施した。その結果、CeCl_3/Sr供給比を0.03、Ga_2S_3/Sr供給比を60倍として堆積させAr雰囲気中、850℃熱処理を行った薄膜において、励起電圧5kVとしたとき約1000cd/cm^2の輝度が得られ、CIE色度座標(0.11、0.098)の強い青色発光を示した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (512K) -
堀河 敬司, M. Kottaisamy, 小南 裕子, 青木 徹, 東 直人, 中村 高遠, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-3
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーゾル-ゲル法により赤色発光SrTiO_3:Pr, Al蛍光体作製、発光特性に対するAl添加の効果について検討を行った。Al添加量30mol%までは低速電子線励起発光の輝度, 赤色の色純度ともに向上が見られた。Al添加量30mol%, 励起電圧2kV, 電流密度108μA/cm^2の励起で約33cd/m^2の輝度が得られた。添加したA1の大半はAl_2O_3として蛍光体粒子表面に分布していることが、SEM観察及びNMR測定からわかった。また、XRD測定による面間隔の変化及びNMR測定から、4配位構造のAlが発光に関与していることが示唆された。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (567K) -
M. Kottaisamy, M. Mohan Rao, D. Jeyakumar, 青木 徹, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-4
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーEuで均一に付活したY_2O_3及びY_2O_2S蛍光体をその硝酸塩からそれぞれ尿素-ODH(oxalyldihydrazide)及びチオ尿素燃料を用いて燃焼法により合成した。合成した材料は粉末法X線回折及びPLスペクトルの測定により評価した。得られた結果から, 単一相のEu付活Y2O3及びY2O2S蛍光体が250-500℃の範囲の非常に低い温度で且つ短時間で得られることが示された。その後, 生成物は焼成を行ったが, その際, フラックスを用いない場合と用いる場合の両方を行った。PL強度は前者に比べて後者の方が大きかった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (596K) -
貝谷 和彦, 高橋 直行, 松沢 隆嗣, 中村 高遠原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-5
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーEu(II)をドープしたアルミン酸塩の蛍光体について、Eu(II)イオンの存在するサイトに関する情報を得るために、EPR分光学による検討を行った。Xバンドでは大きなゼロ磁場分裂のためにスペクトルは複雑となり、何の情報も得られない。しかし、高周波EPR(90および180GHz)では、g=2.0を中心とした対称的なスペクトルが得られた。そしてシミュレーションにより、CaAl_2O_4については1つのサイトが、SrAl_2O_4とBaAl_2O_4については、それぞれ3つ、2つのサイトが存在することを明らかにした。これは結晶学的な検討から予想されたものと異なる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (384K) -
高橋 直行, 貝谷 和彦, 大道 浩児, 中村 高遠, 百瀬 与志美, 山元 明原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-6
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー独自のハライドVPEによりサファイア基板上へのZnO薄膜の作製を行い、その構造と光学特性について検討した。ZnO薄膜の成長速度は成長温度の増加とともに増加し、950℃において約3μm/hとなった。X線回折測定の結果より、サファイア基板上にc軸配向のみを示すhexagonal構造のZnO薄膜が得られ、エピタキシャル成長していることがわかった。二結晶法によるZnO薄膜のFWHM(半値幅)は23.3分を示した。また、低温のホトルミネッセンス測定において370nm付近にZnOの励起子発光が観察された。これらの結果より、ハライドVPEにより良質のZnO薄膜が得られることがわかった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (457K) -
三宅 亜紀, 小南 裕子, 青木 徹, 立岡 浩一, 桑原 弘, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-7
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の構造及び発光特性の基板温度及びアニール条件に対する依存性を調べた。200℃から400℃の基板温度で作製した薄膜はいずれもc軸配向を示した。また、これらの薄膜はアニール温度及び雰囲気に依存して、51.0nmまたは540nm付近にピークを持つ2種類の発光を示した。800℃、大気中アニールした薄膜は2kV, 400μA/cm^2の電子線励起で約60cd/m^2の発光を示した。また、250V励起においても帯電を示さず、発光が得られた。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (521K) -
Shucheng CHU, Tetsuhiro SAISHO, Shingo SAKAKIBARA, Fumiyasu TANOUE, Ka ...原稿種別: Article
セッションID: IDY99-8
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーHigh quality InGaN/GaN single heterostructures were prepared by using a simple mixed sources (Ga and In metal) method in a hot wall epitaxy (HWE) system. Strong near band edge emission peaks ranging from 370 to 465 nm in room temperature PL spectra and X-rays rocking curve FWHM of InGaN (0002) as narrow as 7.3 arcmin were obtained. Few additional dislocations were produced at the interface of InGaN/GaN or during the growth of InGanN. In incorporation can be controlled independently by the substrate temperature, N_2 partial pressure, and the mixed source temperature, respectively.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (362K) -
青木 徹, 山本 浩由, 青木 祥和, 中西 洋一郎, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-9
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーエキシマレーザーを用いて表面の瞬間加熱によりドーパントを拡散することによってZnSeへの高濃度p型ドーピングを行った.ドーパント原料としてNa_2SeをZnSe上へ蒸着し, その上からKrFエキシマレーザーパルスを照射してNaドープp型ZnSe層を形成した.エキシマレーザー照射後に電気炉で550℃で10分間の熱処理を行った場合, 5×10^<19>cm^<-3>の正孔濃度および8.1cmV^<-1>S^<-1>の移動度を持つ低抵抗p型ZnSe層を形成し金電極とのオーミック接触が得られることを報告しているが.今回, 電気炉による熱処理を併用しない場合においてもドーピングは観察され, この方法を用いて作製したZnSeダイオードにおいて80Acm^<-2>程度の電流注入が可能であった.また, コンピューターシミュレーションによりエキシマレーザー照射により試料表面は約1500K温度上昇することが分かった.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (584K) -
村松 隆広, 徐 應瑜, 青木 徹, 畑中 義式原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-10
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラン(((CH_3)_3Si)_2、HMDS)からプラズマCVD法およびリモートプラズマCVD法よりSiC薄膜を堆積した。基板へのSiC薄膜の接着性を向上させるために基板の表面エネルギーを高めるには酸素プラズマを照射することが最も良いことがわかった。RFパワーを50W、チャンバー圧力を1.0Torr、基板温度を室温にすることで薄膜を高速に堆積することができた。UVをカットし、目的とするSiC薄膜を堆積することが出来た。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (451K) -
宇田 英一郎, 中村 修, 松本 貞雄, 樋口 敏春原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-11
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー高電流密度動作が可能なトップレイヤー・スカンデートカソードとして, Sc_2O_3/W層コートしたスカンデートカソードを作製した.Sc_2O_3層の厚さが2nmから20nmまでの4種類のカソードのエミッション特性を測定した.その結果, Sc_2O_3層が薄いほど良好なエミッション特性を示し, Sc_2O_3層が2nmのカソードの放出電流密度は1300Kで80A/cm^2であった.このタイプのカソードを, ライフ試験したところ, 二極管特性, 三極管特性共に良好であった.また, トップレイヤーの安定性を調べるために, W層とSc_2O_3層を成膜したWペレットを加熱し, その表面元素濃度の変化をオージェ電子分光法で測定することにより, 拡散係数を求めた.その結果求められたWとSc_2O_3の拡散係数は, 1220Kで6.4×10^<-19>1300Kで1.0×10^<-18>1370Kで1.6×l0^<-18>cm^2/sであった.また, 測定したオージェ・スペクトルより, 拡散過程中にO, Sc, Wの化学状態は変化しないことがわかった.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (626K) -
田口 貞憲, 柴田 倫秀, 鈴木 行男, 佐々木 進, 野中 育光, 会田 敏之原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-12
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー含浸形陰極のエミッション寿命終止点は、SタイプではBa消耗速度に依存する.Mタイプでは被覆膜の変質速度もしくはBa消耗速度のいずれかに律速する。どちらに属するかは動作温度による。定格動作温度1000℃では、Ba消耗速度に律速する。陰極からのBa蒸発エネルギの推移は、初期の約3eVから約4eVまでの変化過程、約4eVで推移する安定過程、急速に増大し寿命終止に至る過程の3過程からなっている。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (705K) -
楠 敏明, 鈴木 睦三, 佐川 雅一, 岡井 誠, 金子 好之, 熊田 政治原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-13
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーホトプロセスを用いたMIM(Metal-Insulator-Metal)電子源の作製と、カラー蛍光面と組み合わせたカラー表示実験、およびそれらを貼り合わせたパネル試作を行った。ホトプロセスでは、電子源表面のホトレジスト汚染による電子放出特性劣化について検討し、UVオゾンアッシングによる上部電極表面のクリーニングで、ホトプロセスでも、従来のメタルマスクプロセスで得られる電子放出比を落とさずにMIM電子源を作成できることが分かった。P22蛍光体と組み合わせたカラー表示実験では4kV加速で、スクリーンの白色発光効率8lm/Wが得られた。また、MIM電子源とP22蛍光面をフリット封着、封止し、MIM電子源カラーパネルを初めて試作した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (672K) -
小沢 健, 徳永 和朗, 金丸 正剛, 松川 貴, 伊藤 順司原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-14
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーフラットパネルディスプレイとして, 画面の各画素に微小フィールドエミッタを配置したフィールドエミッションディスプレイ(FED)が期待されているが, 各画素間で安定で均一な放出電流を得ることが実用化の課題となっている.我々は簡単な構造で放出電流を安定化できるMOSFET構造フィールドエミッタをさらに発展させ, Poly-Siをゲート電極としたデュアルゲート構造を採用することにより, MOSFET特性の改善や安定な放出電流の低電圧制御に成功した.また, Poly-Siゲートによりオールシリコンプロセスとなり, アクティブマトリクス構造や種々のLSIとの混載の可能性を示した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (676K) -
谷 千束原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-15
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーマルチメディア時代第2期に向けては高臨場感ディスプレイと電紙ディスプレイが主要開発ターゲットになると考える。本稿では高臨場感ディスプレイの位置づけと分類、および主要方式である広画角方式、立体方式、多面空間方式の開発・実用化動向と、視覚生理学的課題および将来展望についての調査・考察結果を述べる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (976K) -
小杉 直貴, 伊藤 幸治, 和迩 浩一, L.F. Weber原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-16
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー選択書き込みに先立ってパネル全面に壁電荷形成(初期化)を行うAC型PDPでは、黒レベルの浮き上がりが課題であった。初期化における黒レベルの発光を抑制するため、壁電荷の形成メカニズムを壁電圧入出力特性を応用して考察した。その結果、電圧勾配7.5V/μs以下の傾斜電圧波形を用いることで、従来の10%以下の発光輝度と安定な壁電荷形成を実現できることを見出した。本技術を適用することにより、毎サブフィールドで初期化を行いつつ、コントラスト比550:1の42型パネルを実用化した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (585K) -
原田 茂樹, 岩田 明彦原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-17
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDPの発光効率を向上させるため、様々な試みが行われている。現在、面放電型AC-PDPの維持電極は、電流によるドロップを抑えるためのバス電極と、放電を形成するための透明電極から構成されている。バス電極は可視光線を透過しないため、可視光利用効率を減少させる原因になっている。本報告では、バス電極の配置と発光効率の関係を調べ、バス電極は放電ギャップから最も離れた位置に配置するのが良いことを確認した。また、放電を透明電極だけて固定するために、透明電極とバス電極を分離した新構造を提案し、従来型と比較して、同一電圧、周波数の条件で発光効率が22%上昇することを確認した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (721K) -
橋本 隆, 岩田 明彦原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-18
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーAC-PDPの最重要課題の一つに発光効率の向上がある。駆動という観点において紫外線の発生効率を向上する具体的な手段の一つに電流密度の低減がある。可視光を励起するための紫外線が電流に対して飽和してしまうからである。電流密度を低減するには、駆動電圧を低くするか、または自己消去放電が起きるほど高くすればよい。しかし、現在の駆動方法ではこれらはマージンの両端に位置するため適用は難しい。本論では、マージン中央付近に電圧を設定しながらも自己消去放電を誘発する駆動方法を提案する。現状の回路で波形の最適化により、40インチXGA-PDPの発光効率を15%向上させることができた。また、自己消去放電の強度をさらに高めるための新波形を使用すれば、ミニパネル試験で波形の最適化により得られた効率をさらに15%上回る効率向上を確認した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (670K) -
鳥崎 恭弘, 野津 光孝, 雨宮 公男, 江部 政臣原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-19
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDPは既に製品化の時期を迎え各社から発表が相次いでいるが, 依然として最大の課題は言うまでもなく効率向上にある.我々は面放電型AC-PDPにおいて矩形電極形状と発光効率との関係を明らかにし報告してきた.その知見を基に電極形状をT字型とし諸寸法の最適化を図った結果, 中精細(セル幅0.42mm)のみならず高精細(同0.29mm)構造のパネルにおいても実用化可能な性能を得る事が出来たのでその内容を報告する.尚, 本構造を適用した40"VGAパネル及び50"XGAワイドパネルが量産化され, ともに製品出荷されている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (345K) -
吉岡 俊博, Laurent Tessier, 沖川 昌史, 土岐 薫原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-20
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーPDP微小放電特性を解析するために、全ガス圧及びXe濃度を変化させたHe-Xe混合ガスを用い、XeI, II、及びHeI発光線を2次元空問分解及び時間分解して分光測定した。電子温度とそれに伴う励起過程を考慮することにより、各発光線強度の時間空問分布の違いを定性的に解釈することができる。これらの測定は実用PDPセル構造にも適用することができ、PDP放電解析及びモデリングのための有効な解析手段になると考えられる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (768K) -
浜田 宏一, 山本 敏裕, 栗田 泰市郎, 高野 善道, 湯山 一郎原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-21
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー筆者らはハイビジョン用PDPを使って、液晶シャッター眼鏡を用いる時分割立体表示システムの検討を行ってきた。立体表示のためのサブフィールド発光スキームや、立体信号処理に適した階調処理方法等を提案することにより、既存のパネルを用いて時分割立体表示が可能であることを確認した。しかし、実験の結果、左右の画像間のクロストーク妨害が目立つことが判明した。これは主にPDPに用いられている蛍光体の残光特性によって生じている。今回、蛍光体の残光時間に対するクロストーク量の関係を定量的に求め、実測値と比較した。さらに、クロストーク妨害を信号処理により改善する手法を提案し、その有効性を確認した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (862K) -
天野 芳文, 遠藤 譲一, Bala K. Velayudhan原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-22
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー現在ではほぼ標準型となった3電極面放電型PDPは、従来の対向2電極型で問題であった蛍光面へのイオン衝撃の問題を改良するための考案からスタートした。しかし対向2電極型には構造の単純さだけではなく3電極型に比べ電極間の静電容量が小さく、大型化、高解像度化、低消費電力化、さらには低コスト化に有利という利点がある。ここに述べる新しい駆動方法(Self Priming Method)は対向2電極型構造を可能にし、また3電極面放電型に採用すればその発光効率を大きく改善できることも明らかになった。このSPM駆動法の概念を発展させることで、次世代PDPができるかもしれない.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (408K) -
仙田 孝裕, 高倉 秀行, 濱川 圭弘原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-23
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー発光層としてZnF_2, Gdイオンを発光中心として用いたEL素子は, フォトンエネルギーにして4eVの紫外光を得ることができる.当研究室でもZnF_2:Gd紫外発光EL素子とその応用に関する研究を行ってきた.今回, この紫外発光ELとRGB各種蛍光体粉末を用いたPL層を積層した, 複合素子によるフルカラーフラットパネルディスプレイの実現を目指した.まずは紫外発光EL素子のZnF_2:GdCl_3発光層及びa-SiNx絶縁層に関しての最適化を行った.また, 素子の各層での紫外光の吸収損失を軽減する素子構造を考案し, 紫外光の高出力化を果たした.それらの結果をふまえて, 青色素子を中心にEL/PL複合素子によるフルカラーディスプレイを試作し, 50cd/m^2(R), 30cd/m^2(G), 10cd/m^2(B)という結果を得た.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (695K) -
後沢 瑞芳, 高野 善道原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-24
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー絶縁物であるY_2O_3が、DC型PDPの陰極として働くには、何らかの導電機構が必要物ある。今回、動作機構の解明の一環としてこの導電機構を解明するためにY_2O_3膜の特性評価と放電前後での特性の変化を調べた。その結果、高温の工程でY_2O_3中に形成されるクラックから、エージングにより下地電極のAlがスパッタされ、これがY_2O_3表面を極薄く覆うことにより、導電路が形成されることがわかった。同時にこのスパッタにより短寿命となる。Niを下地電極として用いるとより細かいクラックを作ることができる。これにより、Al電極より、長寿命な陰極を形成できる。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (771K) -
阿川 義昭, 山本 佳宏, 天野 繁, 佐々木 徳康, 湯山 純平原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-25
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー現在、膜からの2次電子放出収量(γ値)を測定するための装置を開発中である。このMgO保護膜評価装置はイオン源から数10keVのエネルギーにおいて引き出し、質量分離したビームを50〜1000eVに減速して被測定試料基板に照射し、放出される2次電子を計測する。S/N比向上のため、試料以外で発生する電子を抑制し、系内を10^<-7>Pa以下の圧力に保つ。本機の開発に先立ち、既存の低エネルギーイオン照射装置を用い、XeイオンによるWおよびMgO膜のγ値を測定した。MgO膜はステンレス基板上に蒸着した配向性の異なる2種類の試料について測定を行った。Wのγ値は100〜1000eVのエネルギー範囲においてほぼ一定で、0.02を得た。MgO膜のγ値はエネルギー依存性を示し、また、配向性による変化が認められた。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (537K) -
塩川 晃, 高田 祐助, 村井 隆一, 田中 博由原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-26
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーAC型プラズマディスプレイパネルで保護膜として一般的に用いられているMgOにおいて、その二次電子放出係数はパネルの高効率化、低電圧化のための重要なパラメータである。本報告では、火花放電によるイオンを用いてγ係数の相対的測定を放電ガス圧下で測定することを可能とする新規計測法を提案するとともに装置の開発を行い、様々なガス種での比較検討も行えるように実験装置構成の最適化を行った。また、測定値とAC型放電の放電開始電圧との相関について明らかにし、装置の信頼性を確認した。さらに、ガス種による測定値の差違および真空中での試料処理方法による差違を明らかにした。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (469K) -
鈴木 友子, 金子 彰, 渡辺 由雄, 古谷 伸昭原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-27
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリープラズマ・ディスプレイ・パネル(PDP)の保護膜材料の二次電子放出比(γ)測定方法として、CO_2レーザを用いたガスの絶縁破壊によるイオンを用いた手法を提案した。今回、ガス種の違いによるγ測定をおこない、それぞれのプラズマ量の見積もりをおこなった。MgO膜については、大気曝露されることによる影響について評価した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (478K) -
石本 学, 日高 総一郎, 別井 圭一, 篠田 傅原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-28
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーAC-PDPの保護膜として用いられているMgOについて、2次電子放出係数(γ)測定装置を構築し、測定を行った。くり返しの測定精度、時間安定性とも測定ばらつき5%以内に収まった。この系を用い、金属(銅)およびMgOの2次電子放出特性を測定した。CuとMgOの2次電子放出特性の差から、金属と絶縁物の2次電子放出の違いについて述べる。また、イオン加速電圧とγ、加熱活性化とγの関係を測定した。更に、2次電子放出メカニズムを解明するため、2次電子放出のエネルギー分布の測定を行い、金属と、絶縁物の分布の差異、分布に対する表面電位の影響を議論する。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (441K) -
吉田 国雄, 林 海, 内池 平樹, 澤 将裕原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-29
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリー現在、PDPの陰極材料として2次電子放出比γ_iの大きく、耐スパッタ性が優れたMgOが用いられている。PDPの輝度・発光効率をさらに改善するために、真空紫外線透過材料の保護層材料への可能性を探る必要がある。そのため本研究室ではγ_i特性を測定し、絶縁体材料のγ_i特性を究明した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (566K) -
堀田 裕, 林 真紀子, 左合 澄人, 中村 智彰, 坂本 渉, 余語 利信, 平野 眞一原稿種別: 本文
セッションID: IDY99-30
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
会議録・要旨集 フリーAC-PDPの低コスト化のために、化学溶液法によるAC-PDP用誘電体保護膜の形成について検討を行った。金属Mgとエチレングリコールモノメチルエーテルの反応により得られた化合物を主成分とした溶液を用い、大気中でパネル上にスピンコートし、500℃で焼成することによりMgO膜を調製した。その結果、(111)面方向に配向した透過率95%以上の膜が得られた。また、このMgO保護膜形成後に試作したPDPパネルについて放電電圧を測定した結果、この膜は電子ビーム蒸着法により調製したMgO膜と同等の特性を有することが碓認できた。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1130K) -
原稿種別: 付録等
p. App1-
発行日: 1999/01/21
公開日: 2017/06/23
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