巻号一覧
前身誌
41.07 情報ディスプレイ
選択された号の論文の9件中1～9を表示しています
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p. Cover1-
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
会議録・要旨集 フリーPDF形式でダウンロード (110K) -
p. Cover2-
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
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望月 典明, 樋下田 貴大, 服部 由侑, 中村 光則, 戸田 順治, 小間 徳夫, 石鍋 隆宏, 藤掛 英夫セッションID: IDY2017-18
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
会議録・要旨集 フリー従来の偏光板は、平行位の短波長において吸収が強く、黄緑色を呈する問題を有していた。その問題は、主に液晶ディスプレイの色再現性に影響を与える。それに対して、我々は新たな二色性染料を開発すると共に、偏光板中の染料の配向性を改善することで、平行位及び直交位における各波長の透過率が一定となる無彩色偏光板の開発に成功している 1), 2)。しかし、これまでの無彩色偏光板のコントラストは十分でなく、更なる高コントラスト化が望まれていた。それに対して、我々は染料の新たな配合設計と短波長領域の二色比を向上しうる染料を開発することによって、従来の無彩色偏光板が有するコントラストを１４倍向上させることに成功した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (593K) -
越智 奨, 浅岡 康, 南郷 智子, 津田 裕介セッションID: IDY2017-19
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
会議録・要旨集 フリー内部に微細空隙構造を有するフィルムを用いて、従来よりも広視野角なVA液晶ディスプレイシステムを開発した。このフィルムは液晶パネル上に一枚貼付することで、入射光の進路を微細空隙と透明樹脂との全反射により大きく変えることを特徴とする。そのため、この空隙形状を制御することにより、液晶パネル特性に最適なフィルム散乱特性を実現することができる。本報告ではフィルムの散乱特性に加え、バックライト配光、液晶のアライメント方向も合わせたシステム全体の最適化を検討した。結果、従来のVA液晶ディスプレイに比べて、広角における色ズレとコントラスト低下を大きく改善した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (989K) -
楠木 常夫, 菅野 正輝, 阿部 守晃セッションID: IDY2017-20
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
会議録・要旨集 フリー我々は珪酸窒化物蛍光体(Ca,Sr)2(Al,Si)5(O,N)8:Eu が効率が良く、また、他の窒化物蛍光体のように高圧合成が必要でなく、且つ、安価な材料を使って合成可能な赤色蛍光体であることから、本蛍光体に以前より着目し検討を進めてきた。 しかし、信頼性試験においてこの蛍光体が光劣化を起こすことが分かり、これを解決することが課題であった。本検討ではこの光劣化の改善を行なうため、アルカリ土類の組成を変化させたところ良い結果が得られ、また、この赤色蛍光体を黄色蛍光体と組み合わせて使用することによって高演色白色LEDを実現することが出来ることが分かった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (788K) -
稲山 尚利, 三和 晋吉, 藤居 孝英セッションID: IDY2017-21
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
会議録・要旨集 フリー超薄板ガラスを用いた電子デバイスの切断方法として、レーザー熱応力表裏同時切断 (SLTSC: Simultaneous Laser Thermal Stress Cutting)を開発した。ほかの切断方法に比べて、 SLTSCは 1パスで表裏ガラス基板を切断することができ、高い曲げ強度を持つ高品位な端面に切断できることが分かった。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (427K) -
友枝 哲, 平田 肇, 畠山 辰男, 時任 静士, 熊木 大介, 後藤 芳政セッションID: IDY2017-22
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
会議録・要旨集 フリーフォトリソグラフィーなどのマスクを用いる方法では、歪みを持つフィルム上に積層回路を形成させることは難しい。そこで東レエンジニアリングはインクジェットを使って歪みを持つフィルム上に積層回路を形成する技術を開発した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (646K) -
平野 由希子, 草柳 嶺秀, 新江 定憲, 早乙女 遼一, 曽根 雄司, 松本 真二, 中村 有希, 安藤 友一, 植田 尚之, 山田 勝幸セッションID: IDY2017-23
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
会議録・要旨集 フリー独自組成の酸化物材料とそのインクを開発しTFTを作製した。半導体層にはドープ型の酸化物半導体を、ゲート絶縁膜にはhigh-k酸化物絶縁体を、保護層にはバリア性のある酸化物絶縁体を用い、これらの層を全てインクの塗布と焼成によって形成した。パターニングは標準的なフォトリソプロセスにより行った。得られたTFTの電界効果移動度は11.3 cm2/Vsであり、真空成膜の酸化物TFTと同等の性能を得た。また、優れた信頼性を示し、バイアスストレス試験におけるVthシフトは60℃ 10^5秒の条件で0.2V以下と極めて小さかった。これらの結果により、独自開発した酸化物材料と塗布プロセスの優位性を示した。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (598K) -
p. 28-
発行日: 2021年
公開日: 2021/05/26
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