巻号一覧
67 巻, 4 号
選択された号の論文の15件中1～15を表示しています
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末永 雅紀1998 年 67 巻 4 号 p. 383
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
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Hans KRAUS1998 年 67 巻 4 号 p. 394-403
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー近年,超伝導現象に基づく放射線センサー機能;を有する極低温検出器に関する研究が活発になされ,その検出器性能の最適化が行われている.本稿は,超伝導によるトンネル接合検出器および熱量計型検出器(ボロメーター,カロリーメーター)の2種類の検出器の動作について解説する.現在では多くの優れた極低温デバイスの動作が実証され,極低温検出器の研究の動向が明らかになってきた.このことから,検出器の単なる最適化研究から実用的な応用研究へと推移したことがわかる.極低温検出器は蛍光X線分析,可視光検出,高分子の質量分析などにも使用されようとしている.しかし,極低温検出器の性能の理論的上限値を得るには,さらなる研究開発が必要である.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (9503K) -
松下 照男1998 年 67 巻 4 号 p. 404-409
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導体の応用にあたって重要なパラメーターの一っである臨界電流密度を決定する要因である磁束ピンニングと磁束クリープの機構にっいて解説する.高温度領域では臨界電流密度がゼロとなる不可逆磁界が低いことが重大な問題となっているが,その原因について最近明らかにさにれたことを紹介し,臨界電流密度の改善の方法を述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4675K) -
吉田 二朗1998 年 67 巻 4 号 p. 410-416
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー単一磁束量子(SFQ)論理回路は,ジョセブソン接合の高速スイッチング特性と極低消費電力性を生かし,数10GHzクロツクでの動作に対応できる. Nbジョセブソン接合技術に立調し,すでにLSI規模の回路を作製することは可能となった.また,大規模・超高速の論理システムに対応するための新しいア-キテクチヤーの検討や,システム設講も開始されている.これらの技術の現状を紹介するとともに,高温超伝導SFIQ回路の可能性についても議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4864K) -
葛西 直子1998 年 67 巻 4 号 p. 417-423
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導体の超伝導量子干渉素子(SQUID)の性能向上とともに,SQUIDの新しい応用分野として材料の非破壊検査が浮上してきた。SQUIDの優れた11生質を利用することにより,航空機や原子力プラントなどにおいて,使用中の材料の劣下状態を定量的に把握できる可能性がある.実験室段階であるが,何層もの重ねたアルミ板の深部に発生した傷や腐食,鋼の疲労や塑性化による磁気変化などが検出されている.本報告では,高温超伝導体SQUIDを含めたSQUID-NDEの現状を紹介し,その可能性について論じる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5527K) -
久間 和生, 田中 健一, 太田 淳, 田井 修市, 岩附 守1998 年 67 巻 4 号 p. 424-430
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー人間の目のような柔軟な画像処理機能を持つ人工網腰チップの大量生産が開始された.人工網膜チップは,新規に考案された感度可変受光セルと,それを用いた光マトリックス・ベクトル乗算アーキテクチャーに基づくもので,ひとつのチップでさまざまな画像処理がリアルタイムで行えるという特長がある.人工網膜チップを用いれば,従来のCODでは巽現でぎなかった,低コスト,低消費電力,高速,小型なインテリジェント・画像処理システムが容易に構築できる,人工網膜チップ,レンズ,マイコンを一体化した超小型力メラ,ビジョンアルゴリズム,およびインタラクティブゲームやセキュリティシステム等への応用についても解説した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5510K) -
木吉 司, 和田 仁1998 年 67 巻 4 号 p. 431-434
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー科学技術庁金属材料技術概究所強磁場ステ-ションでは,1GHz級NMRマグネットの開発が進行中である.このマグネットは金属系超伝導材料による外層コイルで21.lTを発生する.さらに,その内側に内鷹コイルを組み込み, 54mmØの室温ボアにプロトンの共鳴周波数1GHzに対応する23.5T;を発生する誹画である.このマグネットは超伝導マグネットとして世界最高の磁場を発生するだけ.でなく,NMR計測のために非鴬に高い磁場の均-度と安定度が要求ざれる.特に,内層コイルは従来の磁場発生限界を超えた環境で使用されることからきびしい技術的問題が存在する.本稿では,内層コイルの満足すべき条件を明らかにするとともに,現在その候補材料として研究されているBi系酸化物線材を中心に,その実現の可能性について議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (434K) -
松田 祐司1998 年 67 巻 4 号 p. 435-438
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導体は二次元CuO2, 面が層状に積み璽なった結翻構造をもち,このために大きな電気伝導度の異方性が現れる.特に,G軸方向のコヒーレンス長は面間隔よりも圧倒的に短く,各CuO2層はジョセブソン効果により結合した状態となる.では,高温超伝導体の輸送特性や電磁応答は従来の巣一S-I-S接合やジョセブソン多層膜とどこが違うのであろうか.ここでは,特にBi2Sr2CaCu2O8+δにおける電流一電圧特性とジョセブソン・プラズマの問題を取りあげ,高温超伝導体特有の現象について議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1304K) -
佐藤 寿志, 山本 秀樹, 内藤 方夫1998 年 67 巻 4 号 p. 439-443
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導体薄膜成長での,反応性共蒸惹法1こよる最近の結果を紹介する。La2-xSrxGuO4薄膜では格子不整合によるひずみにより,超伝導転移温度がバルク値37Kを突破して44Kに達した,また新超伝導体Ba20uO4-δが発見され,その超伝導転移温度は約90Kを示した.この値は, K2NiF4型の巣層構造の物質としては異例に高い.これらの結果は,薄膜手法によってバルク合成法をしのぐ物性が得られる可能性を示竣する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3577K) -
中山 恒義, 野呂 治人1998 年 67 巻 4 号 p. 444-448
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー光集積回路の複雑化に伴い,モード解析のための大規模計算が叢適設計の支援に不可欠のものとなりつつある.これまで多くのアルゴリズムが提案されてきたが,いずれも精度,容量,計算速度,スカラー波近似などの悶題を抱えている.筆者らが最近開発した新しいアルゴリズムはワークステーションを用いる小規模計算にも,またベクトル・並列処理機能を備えたス-パーコンピュ.一夕一にも適用でぎ,その機能を最大限引き出ずことによって,高速かつ高精度の計算が可能である.その手法は従来のアルゴリズムとは原理的にまったく異なったものであり,かつ単純である.ここではこのアルゴリズムの概要と光導波路解析への適用例について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4186K) -
李 瑞1998 年 67 巻 4 号 p. 449-450
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
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川尻 和彦1998 年 67 巻 4 号 p. 451-452
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
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井上 龍夫1998 年 67 巻 4 号 p. 453-454
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
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石原 宏1998 年 67 巻 4 号 p. 456-461
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーMOSダイオードとMOSFETの動作特性について解説している.まず,ダイオードの表面状態について説明し,表面キャリア濃度,反転しきい値電圧,容量一電圧特性などの解析を行っている,次いで,ダイオードとFIETの動作特性の本質的な違いを説明し, FETの電流-電圧特性を,ゲート電圧が反転しきい値電圧よりも高い場合と低い場含とに分けて導いている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3146K) -
中塚 忠良1998 年 67 巻 4 号 p. 462-466
発行日: 1998/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー移動体通信端末の小型・高性能,低消費電力化を実現するため,新しい技術を適用した低雑音GaAslOを開発した.本ICは低雑音増幅器,周波数変換器,LO増幅器から構成されており,高誘電体キャパシターを内蔵し,高性能0.5μmゲートLDD BP. MESFETおよび新規回路構成を用いている.本ICは周波数880MHz帯において,変換利得32dB, 雑音指数3.5dB, イメージ抑圧比25dBの優れた性能と, 3V, 3.5mAの低消費電力を同時に実現している.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4890K)
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