巻号一覧
63 巻, 4 号
選択された号の論文の16件中1～16を表示しています
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太刀川 恭治1994 年 63 巻 4 号 p. 331
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
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超伝導特性とメカニズム岸尾 光二, 下山 淳一, 北沢 宏一1994 年 63 巻 4 号 p. 332-343
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー5年間の沈黙を破って昨年は臨界温度に新記録が生まれ,室温の約半分(高圧下で150K以上)を達成した.水銀系やCu(or Ag)-BaCaCu系など,新物質におけるピンニングカはかなり高いことも期待され,今後の材料展開に希望を与えた.また,ホウ炭化物で23Kの新超伝導体が発見されたことも,注目される.混合状態では,ピンニングカとキャリア濃度の関係も確立してきた.実用化は,液体ヘリウム不要の冷凍機直冷型超伝導磁石のパワーリードとしてまず始まろうとしている,高温超伝導体の電子構造を巡る理論,実験はともに詳細を議論できる段階に達し,いよいよ,低エネルギー領域で起きる超伝導を論じられる時が来た.本報告では,これまでの概略をまとめつつ,新たな展開を解説したい.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (12263K) -
安達 成司, 山内 尚雄1994 年 63 巻 4 号 p. 344-353
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー最近の高温超伝導体研究を物質開発の観点から概説する. 1993年は物質開発に携わる研究者にとって非常に実り多い有意義な年であった.水銀系超伝導体の発見により臨界温度の世界記録が更新されたこと(Tc=135K)がまず第一に挙げられる.無限層構造を有する物質の研究からCuO2面を基本とする酸化物のp型超伝導に頂点酸素は必要か否かというp型超伝導の発現機構に関わる活発な議論も行われた.また,これまでに蓄積された物質の設計指針に基づき,多くの炭酸基を含む新超伝導体が実際に設計され,合成された.物質開発研究はより高い臨界値をもつ物質の探索,超伝導発現機構の解明,物質設計手法の開発および実証へと着実に進歩している.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (8643K) -
その特異性門脇 和男1994 年 63 巻 4 号 p. 354-361
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導体は,超伝導状態が異常であるといわれている.特に,磁場中では,多くの物理量が従来の超伝導体と異なった特異な振る舞いを示すことが知られている.この原因に関して,最近,超伝導揺らぎが重要な役割を果たしていることが,理論的にも実験的にも確認されてきて,高温超伝導体の磁束状態の理解が急速に進んでいる.本稿では,高温超伝導の混合状態の特異性とはどのような現象か,なぜそれが高温超伝導体で発現するのか,それが現段階でどのように理解されているか,さらに,今後の研究課題として残された問題点はなにか,などを解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (6934K) -
荻原 宏康1994 年 63 巻 4 号 p. 362-369
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導体:銅酸化物超伝導体の電力・エネルギー分野への応用開発研究の現状を電線,成型体バルクの二つの立場で展望した.電線は本格的な電力応用を考えるには素朴な段階にある.それだけに銅酸化物超伝導体の超伝導性の本質そのものにせまる試料ともなっている.後者は機能開発の試料として利用可能な段階に達していて,いろいろな試作が報告されている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5554K) -
山本 純也1994 年 63 巻 4 号 p. 370-373
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー核融合科学研究所が岐阜県土岐市に建設中の大型ヘリカル装置はそのプラズマ閉じ込め用の磁場をすべて超伝導コイルによって発生する世界で最初の核融合実験装置である.ここで使用する超伝導コイルは世界最大の蓄積エネルギーを持つもので,その設計,製作は超大型超伝導技術の歴史を塗り替えるものである.本稿では装置本体の超伝導マグネットシステムの構成,各要素の条件などの設計方針,および製作についての主要な点について述べている.使用する超伝導材料はひずみに強いNbTiであり,ヘリカルコイルは浸漬冷却方式,ポロイダルコイルは強制冷却方式である.電流値としては,10kA～30kAという超伝導としてはかつてない高い値となる.この装置は, 1997年に完成し年間2000時間10年間の核融合プラズマ実験を支える.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3920K) -
倉門 雅彦, 高橋 徹1994 年 63 巻 4 号 p. 374-377
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー超伝導トンネル接合を用いた放射線検出器は,従来の半導体検出器を数10倍も上回るエネルギー分解能の可能性を有している.最近では,半導体検出器より優れた分解能が実際に得られてきている.検出効率を高めるために,検出素子を大面積化・大容積化する方法も提案され研究されている.超伝導トンネル接合検出器の研究開発の状況を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2384K) -
赤穗 博司, 佐藤 弘1994 年 63 巻 4 号 p. 378-381
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導薄膜積層で構成されたジョセブソン接合,特に,積層型ジョセブソン接合の最近の進展を述べる. (103) 配向YBaCuO膜を用いたSNSヘテロ接合では,磁場侵入長の異方性に起因する異方的ジョセブソン効果が見い出された.また,現在までに報告されている積層型接合およびエッジ型接合は構造の達いはあるものの,そのIcRn.積が臨界電流密度Jcの1/2剰に比例するスケーリング則に統一的に従うことがわかった.この1/2剰スケーリング則から,接合特性は超伝導体とバリア層の間の界面特性を強く反映していると思われる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2412K) -
鷹岡 昭夫, 森 博太郎1994 年 63 巻 4 号 p. 382-385
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー超高圧電子顕微鏡は,電子顕微鏡が本来持つ優れた空間分解能に加えて,優れた試料透過能広い試料室空間,高エネルギー電子照射の3つの特徴を兼ね備えている.これらの特徴は,多層膜構造の電子デバイス材料を研究する上で貴重な手段となる.観察法について,電子線照射損傷を低減する方法や試料雰囲気を制御するカプセルの開発も進められている. LSI試料では,シリコン基板のみを薄くすれば,保護膜の上から垂直透視することができる.この観察法は,電流印加により発生するLSI配線中のボイドのその場観察などに使われる.また,高エネルギー電子の照射による異種原子の注入などにも利用されている.これらの研究を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2836K) -
水島 一郎, 渡辺 正晴, 村越 篤, 柏木 正弘1994 年 63 巻 4 号 p. 386-389
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSi中における高濃度Bの固溶状態として, 12個のB原子からなる二十面体構造のB12が形成され,これが2価のアクセプターとして働くという,新しいモデルを提案する.このモデルによって,高ドーズBイオン注入でみられた,イオン注入直後の高濃度の正孔の生成を説明することができる.また, B12の形成は,分光学的手法で確認することができた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2873K) -
内海 裕一, 赤沢 方省1994 年 63 巻 4 号 p. 390-393
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSi2H6ガスを放射光で連続的に励起し, Si基板上にエピタキシャル成長を行った.この結果熱成長の起こらない400°C以下の低温領域でも光励起反応により成長が可能なことを確認した.エピタキシャル成長は基板温度40°Cにおいても観察でぎた.さらにSiO2/Si基板を用いて,選択成長を試みた結果,放射光照照射により,基板温度700°C以上で,選択性が永続することを見いだした.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3362K) -
阿部 仁志, 戸田 典彦1994 年 63 巻 4 号 p. 394-397
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー酸化物高温超伝導体を用いた超伝導べーストランジスタ;を試作し静特性を評価した. Nbドープしたn型酸化物半導体であるSrTiO3基板をエミッター側に,基板上にべース層としてMBE法で(Ba,Rb)BiO3薄膜を作成し, (Ba,Rb) BiO3膜上にIn薄膜を積層しコレクター電極としたトランジスタ構造である.ベース接地電流増幅率αが0.94のとき,エミッター接地電流増幅率βが10という素子特性を得ることができた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4182K) -
垣花 眞人, 吉村 昌弘1994 年 63 巻 4 号 p. 398-401
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーイットリウム系超伝導体に含まれるCu-Oy鎖面は電荷貯蔵層として働き,電荷移動過程を通じて伝導層であるCuO2面のキャリア数をコントロールする. Ou-Oy面のOuO2面へのキヤリア供給能力は, Ou-Oy鎖面における酸素の秩序化に強く依存する. Cu-Oy鎖面に人為的な欠陥を作ったYBa2Cu3-xMxO6+y(M=Co, AI, Fe)試料のラマン散乱実験により,欠陥領域が支配的になるにつれてCuO2面へのキャリアの移動が阻害され,その結果鏡が減少することが示される.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3258K) -
長谷川 哲也, 南任 真史1994 年 63 巻 4 号 p. 402-403
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
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横山 侑子1994 年 63 巻 4 号 p. 404-405
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
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村上 雅人, 樋口 天光, 橋本 光男1994 年 63 巻 4 号 p. 406-407
発行日: 1994/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (2340K)
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