応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
83 巻, 4 号
『応用物理』 第83巻 第4号
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Science As Art
ココだけのハナシ
今月号の概要
解説
  • 内田 建
    2014 年 83 巻 4 号 p. 262-267
    発行日: 2014/04/10
    公開日: 2019/09/27
    ジャーナル フリー

    ナノ構造シリコンをチャネル部とする立体構造トランジスタは,将来のデバイス構造として有望視されている.ナノ構造シリコンでは,電荷キャリヤへの量子効果が顕在化し,フォノン散乱の増大により熱伝導率も低くなる.そのため,量子効果やチャネル温度の上昇が,立体構造トランジスタの電気特性に及ぼす影響を考慮した素子設計が不可欠である.本稿では,はじめにナノ構造で顕在化する量子効果や界面/表面の効果などがトランジスタのキャリヤ輸送に及ぼす影響を概観する.その後,ジュール熱によるチャネル温度上昇の実験的評価,チャネル温度上昇が立体構造トランジスタのアナログ性能に及ぼす影響について,最近の進展を紹介する.

  • 大須賀 慎二
    2014 年 83 巻 4 号 p. 268-273
    発行日: 2014/04/10
    公開日: 2019/09/27
    ジャーナル フリー

    シリコンフォトマルチプライヤ(SiPM)は,フォトンカウンティング(光子計数)計測が可能であり,かつ,シンチレーション検出のようなアナログ的な計測にも適用可能な高性能半導体光検出器である.SiPMは,ガイガーモードで動作する多数個のアバランシェフォトダイオード(APD)のピクセルを並列接続した素子である.本稿では,高感度半導体光検出器として,APDとガイガーモード動作により単一光子検出可能なシングルフォトンアバランシェダイオード(SPAD),およびSiPMを取り上げ,それらの動作原理と特徴,応用分野について解説する.

最近の展望
研究紹介
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