巻号一覧
62 巻, 10 号
選択された号の論文の17件中1～17を表示しています
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大谷 杉郎1993 年 62 巻 10 号 p. 967
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
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阿知波 洋次1993 年 62 巻 10 号 p. 968-977
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー炭素の新しい安定構造,フラーレンについて,その構造的特徴,成長機構を報告する.フラーレンと呼ばれる,5員環12個を含み,他を6員環からなる多面体型炭素分子は,サッカーボール型でよく知られるC60にとどまらず, C70, C76と原子数にして120個を優に超える大きさまで純物質として取り出されるに至っている.ここでは原子数10個程度の炭素クラスターから原子数100を超えるフラーレンまで,その分離法,構造的特徴を紹介するとともに,炭素原子同士が結合しながらフラーレン構造を形成する過程について新しい成長モデルを報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (12689K) -
目片 守1993 年 62 巻 10 号 p. 978-984
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーエントロピーに由来する無秩序は,凝縮相では多様な形で現れる.無秩序相は低温になると,一挙に秩序状態に相転移することが多いが,液晶や超イオン導電体のように自由度や成分の一部だけが秩序状態に転移することもある.準結晶では周期的秩序はないが,原子配列の方向に秩序がみられる.低温では,一般に無秩序状態はガラスのように凍結状態で得られるが,相互作用の競合によって自発的に生じることもある.凍結系は焼鈍によって秩序化するのに対し,基底状態が縮退する競合系ではOKまで熱平衡状態で無秩序なままである.量子系では零点振動が古典的秩序を壊すが,超流動のような新しい秩序状態を生み出す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (744K) -
梶山 千里1993 年 62 巻 10 号 p. 985-993
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー(高分子/液晶)複合膜の相分離構造に由来する強い光散乱の原因として,液晶チャネル中のネマチックダイレクターの空間的ひずみ,液晶チャネル間のネマチックダイレクターの不連続性,高分子相と液晶相の屈折率のミスマッチングが主な原因であることが提案されている.(高分子/液晶)複合膜の相分離構造は,溶媒蒸発過程のスピノーダル分解を経て形成され,相分離の構造周期は溶媒蒸発速度が大きいほど小さくなる.また,(高分子液晶/低分子液晶)複合系のスメクチック相において二周波駆動によるメモリー性の光スイッチング機能が見いだされている.複合系に光応答性分子を導入し,光透過一光散乱の臨界周波数を光により可逆的に変化させることにより,光情報の書き込み消去が可能となった.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2082K) -
金光 義彦1993 年 62 巻 10 号 p. 994-997
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSiおよびGeのクラスター,ナノメートル微結晶の光学特性を中心とした実験的研究を紹介し,それらの分子と固体との中間的な特性を示す新しい物質相としての特徴について議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (419K) -
市村 國宏1993 年 62 巻 10 号 p. 998-1001
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー基板表面に結合したフオトクロミック分子の光反応によって,電場印加なしでネマチック液晶分子の配向を可逆的に制御できる.ある種のフォトクロミック分子で被覆した基板により,難直配向/平行配向間での配向変化が引き起こざれる.また,表面発反応を直線偏光照射で行うと,平行配向にある液晶分子の方位を自由に制御することが可能となる.この光機能表面をコマンドサーフエスと呼称しているが,その調製法ならびに光配向制御にかかわる要因を概説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (380K) -
辻 和隆1993 年 62 巻 10 号 p. 1002-1005
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーアモルファス半導体においてはじめて確認されたa-Seのアバランシェ現象は,撮像デバイスの飛躍的な高感度化をもたらした,一方,最近a-Si:H系材料を用いた種々の試料においても光電流増倍現象が報告されている.本稿では,a-Seのアバランシェ現象によるキャリア増倍特性とその特徴を紹介し,アモルファス材料における特徴的キャリア輸送機構との関連を議論する.また,a-Si:H系材料における光電流増倍現象について,アバランシェ現象の可能性を中心に概観し,応用面も含めてアモルファス半導体におけるキャリア増倍現象を展望する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1425K) -
石井 信彦1993 年 62 巻 10 号 p. 1006-1009
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSi系アモルフアス薄膜中における欠陥の原子構造を明らかにするために,欠陥を含むモデルクラスターに対して,密度汎関数法を用いて超微細結合定数の計算を行った.計算結果と電子スピン共鳴測定による結果を比較することにより,水素化アモルファスSiにおけるSiダングリングボンド(3配位Si原子),水素化アモルフアスSi3N4におけるNダングリングボンド(2配位N原子)の存在を確認した.欠陥の構造を明らかにするうえで,この手法は,極めて有効である.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1217K) -
Gautam GANGULY, Akihisa MATSUDA1993 年 62 巻 10 号 p. 1010-1014
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー水素化アモルファスシリコン薄膜における欠陥密度は,膜作製基板温度を変化させた場合,異なった膜堆積速度依存性を示す.この膜堆積速度依存性は,膜成長表面における未結合手欠陥の生成と終端の.バランスを考慮し,膜成長表面が次の瞬間膜の一部となると言う過程を導入することにより説明される.このような微視的な膜成長表面反応過程を理解することにより,異なる条件下で作製された膜中の欠陥密度を予測することが可能となった.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (633K) -
松浦 正英, 東 久洋, 東海林 弘, 細川 地潮, 楠本 正1993 年 62 巻 10 号 p. 1015-1018
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー有機EL素子は,新型フラットパネルディスプレイへの応用の可能性が高く,現在,活発に研究が行われている.われわれは,これまで,発光材料(特に青色発光材料)に焦点をあて,系統的な研究を行い,電荷輸送層との界面での相互作用を回避することが重要であることを見いだした.今回は,これまでの考察から新たに分子設計した非平面構造 (nonplanar conformation) を有するジスチリルビフェニル誘導体を発光層に用いた青色有機EL素子において,変換効率0.81m/W,最高輝度6000cd/m2と今までにない高性能を実現したので報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3215K) -
上田 裕清1993 年 62 巻 10 号 p. 1019-1023
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー最近,有機化合物の蒸着膜を用いた光電気特性・非線形光学特性などの研究が盛んに行われている.しかし,薄膜の構造との関連について検討した報告は少ない.有機分子の機能を有効に利用するためには,薄膜中の分子を一定方向に規則的に配列し,各分子のもつ機能を集合体としての固体で発揮できるようにすることが必要である.ここでは真空蒸着法によるジオレフィンおよびジアセチレン分子の配列制御と紫外線照射による構造変化,さらに膜物性におよぼす分子配向の効果について報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3679K) -
赤木 和夫1993 年 62 巻 10 号 p. 1024-1027
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高強度・高導電性ポリアセチレンフィルムを合成すべく,新規のアセチレン重合法(脱溶媒法,無溶媒法)を開発した.合成したフィルムは,延伸性に富み,ヤング弾性率や引っ張り強度などの力学強度は,最強プラスチック繊維であるケプラーのそれに匹敵するものであった.ヨウ素ドーピング後の電気伝導度は最高4×104S/cmオーダーと,金属のそれと同等であった.X線回折,走査型電子顕微鏡,偏光赤外吸収スペクトルの測定を通じて,力学的延伸に伴う一軸配向の様子,モルホロジーの変化,およびフィルムの配向度を明らかにした.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1400K) -
森 憲寿, 武藤 範雄, 梶原 貞次郎, 柳田 博明1993 年 62 巻 10 号 p. 1028-1031
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導性繊維を用いた赤外線センサーの熱時定数,静止体検知および出力電圧の各特性について調べた.熱時定数は繊維の長さ,本数および径の組合せによって制御できた.静止体検知は5時間にわたり静止体からの放射赤外線を安定に検出できた.出力電圧と熱時定数は比例関係を示し,出力電圧は半導性繊維の物性と構造によって制御できた.新しく開発した高電圧パルス処理法は,赤外線センサー特性を損なわずに,電気抵抗値のみを低下できた.高電圧パルスによる部分処理法は,高サーミスター定数を有する繊維を使用できるために,出力電圧の改善に有効な方法である.半導性繊維赤外線センサーは静止と移動の両物体を検知できる簡便な赤外線センサーとして期待できる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2347K) -
飯島 澄男1993 年 62 巻 10 号 p. 1032-1033
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
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神野 清勝1993 年 62 巻 10 号 p. 1034-1035
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
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緒方 啓典, 丸山 有成1993 年 62 巻 10 号 p. 1036-1037
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
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磯田 悟1993 年 62 巻 10 号 p. 1038-1039
発行日: 1993/10/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (2345K)
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