応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
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93 巻, 1 号
『応用物理』 第93巻 第1号
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今月のトピックス
今月号の概要
解説
  • 社会課題解決に貢献する次世代放射光施設ナノテラス
    高田 昌樹
    2024 年 93 巻 1 号 p. 5-11
    発行日: 2024/01/01
    公開日: 2024/01/01
    DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu.93.1_5
    ジャーナル 認証あり
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    NanoTerasu（ナノテラス）の運用開始が，2024年4月に迫っている．東北大学青葉山新キャンパス（仙台市）に建設中の次世代放射光施設のことである．放射光施設といえば，1997年に運用開始した兵庫県のSPring-8（スプリングエイト）が，一般には，よく知られている．約4半世紀を経て，国が整備・運営する施設が新たに登場するのである．光を生み出す加速器技術は，スプリングエイトで磨かれてきた，我が国の放射光科学の独自技術に基づく．しかし，スプリングエイトとナノテラスでは，使い道が全く異なる．硬X線の利用に強いスプリングエイトに対して，ナノテラスは軟X線の利用に強みを持つからである．この強みを活かし，脱炭素社会の実現など，直面する多くの社会課題の解決に挑戦する．その一端を詳解する．

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  • ハフニウム系強誘電体薄膜の不揮発性メモリトランジスタ応用
    大見 俊一郎
    2024 年 93 巻 1 号 p. 12-18
    発行日: 2024/01/01
    公開日: 2024/01/01
    DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu.93.1_12
    ジャーナル 認証あり
    電子付録
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    本稿では，ハフニウム系強誘電体薄膜を用いた不揮発性メモリトランジスタに関して概説する．シリコン基板上に形成可能な強誘電性ハフニウム酸化膜（HfO2）およびハフニウム窒化膜（HfN）を，MOSFETのゲート絶縁膜として用いた，強誘電体ゲートトランジスタMFSFETへの応用について説明する．さらに，MONOS型フラッシュメモリ構造に強誘電性HfO2を導入し，分極特性と電荷蓄積特性を融合することによりしきい値電圧を高精度に制御する不揮発性メモリトランジスタFeNOSについて説明する．

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最近の展望
  • 量子コンピュータを用いた機械学習
    御手洗 光祐
    2024 年 93 巻 1 号 p. 19-23
    発行日: 2024/01/01
    公開日: 2024/01/01
    DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu.93.1_19
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    近年目覚ましい成果を挙げて着々と社会実装が進む機械学習に，量子コンピュータが持つ計算能力を応用できれば，もっと高度なことができるようになるかもしれない．この素朴な期待から，量子コンピュータを機械学習に応用しようという試みが2010年代からスタートした．最近では量子コンピュータハードウェアの発展も相まって，特に現在あるいは近未来の量子コンピュータを念頭に置いたアルゴリズムの開発が進んでいる．本稿では，量子コンピュータを用いた機械学習について，最近の展開を概説する．

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