巻号一覧
60 巻, 7 号
選択された号の論文の15件中1～15を表示しています
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世紀末にかける田中 一宜1991 年 60 巻 7 号 p. 651
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
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高井 幹夫1991 年 60 巻 7 号 p. 652-662
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高工ネルギーイオンマイクロプローブの形成技術,計測技術,およびマイクロプローブとしての応用例を半導体プロセスの局所分析を中心に述べ,この分野の最近の進歩と背景を総合的に解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (10677K) -
真壁 利明1991 年 60 巻 7 号 p. 663-673
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー人類の歴史において多くの技術がそうであったように,機能性薄膜の創製や半導体の微細加工技術も, 20世紀末の高度な錬金術(プラズマプロセシング)から生み出されてきた.今後さらに成熟した基盤技術へと発展するためには,新しい指導原理ともいうべき原料ガス分子の衝突断面積,遷移確率などの微視的物理・化学的特性にのみ立脚したプラズマプロセシングのモデリングが構築されねばならない. 90年代を迎え,計算機環境の改善と整備が進んでいる.このような社会状況のなかで,プラズマプロセシング用の非平衡RFプラズマはどのようにモデル化され,どのような事実を明らかにしてきたのだろうか.最近の発展を紹介し,今後の課題を明らかにしたい.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (11293K) -
茶谷原 昭義, 木内 正人, 堀野 裕治, 藤井 兼栄, 佐藤 守1991 年 60 巻 7 号 p. 674-681
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーMeVイオン注入による表層改質の特徴は,従来の数百keVの注入とは違って,重い元素でも深く高濃度に注入できることである.このため,改質層が厚く,しかも材料とイオン元素との組み合わせが広がり,改質の組成,構造の自由度が増えてくる.また,高速に加速されたイオンは表面付近での核的相互作用が非常に小さくなるに従って,電子的相互作用が大きくなるため,半導体,金属,セラミックス材料などへのMeVイオン注入では.新たな表面の変化が起こっている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4282K) -
栗原 堅三1991 年 60 巻 7 号 p. 682-690
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー味細胞と嗅細胞は,外界に存在する数多くの化学物質を受容し,その微小な化学構造の差異を識別する機能を有する精巧な生体化学センサーである.これらの細胞における化学物質の識別機構,化学情報の電気信号への変換機構,超高感度の秘密などを解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2629K) -
堺 孝夫1991 年 60 巻 7 号 p. 691-694
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーモントリオール議定書の締結によって特定フロン類の放出が制限され,成層圏におけるオゾン減少に歯止めがかかった.一方,最近,フロン類の除去やオゾン供給を積極的に行い,成層圏のオゾンをより早く回復させる目的で,いくつかの提案が内外で行われている.電磁波によるフロン類の除去とオゾン供給,航空機による補給,バルーンにオゾン発生器を積み太陽電池で動作ざせる方法,レーザーによるオゾン生成などである.これらを紹介し,必要なエネルギーの面から検討を加える.全地球的な規模には難しいが,必要な限られた領域を対象とすれば不可能ではなかろう.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (430K) -
冨増 多喜夫, 山崎 鉄夫, 山田 家和勝, 杉山 卓, 大垣 英明1991 年 60 巻 7 号 p. 695-698
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー短波長自総電子レーザー(FEL)は波可薄変なレーザーで,高出力化が再能であり,波長可変な紫外域FELは在来のエキシマレーザーより正確に光化学反応を制御できるということで注目されている.この小論文では,電総研での598 nm FELの発振成功や紫外域FEL発生用小型リングNIJI-IVの運転も含めた世界の短波長FEL研究の現状が紹介され,将来の紫外域FELプロジエクトにそなえて,小型の電子リニアックや蓄積リングを使用する低エミッタンス・ピーム加速や, FEL発振に適した装置の小型化の課題が議論されている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2555K) -
田川 精一1991 年 60 巻 7 号 p. 699-702
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーマイクロリソグラフィーの分野で,化学増幅型レジストという新しい型の高感度レジストの開発が盛んに行われている.オニウム塩と非イオン系の2種類の酸開始剤,極性変化型,解重合型,溶解牲反転反応型,市販の種々の型の化学増幅型電子線およびX線レジストの特徴,および放射線化学反応についで紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (414K) -
細川 照夫, 北山 豊樹1991 年 60 巻 7 号 p. 703-707
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー次世代の超LSI製造のカギを握るリソグラフィー手段として,シンクロトロン放射光 (SR) を用いるSRリソグラフィー技術が有望視されている.これに呼応して, SRリソグラフィー専用の小型SR装置の開発が進められてきており,いくつかの開発装置がSR光を発生し,実用化の段階に入ってきた.そこで,本報告では,現在開発中のリソグラフィー用小型SR装置の概要を紹介し,その現状をまとめる.またこの現状をもとに,リソグラフィー装置としての将来の課題についても述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (470K) -
大木 義路, 長沢 可也1991 年 60 巻 7 号 p. 708-711
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーシリカガラスに放射線やエキシマレーザー光を照射したときに生じる欠陥,およびその欠陥に基づく光吸収や発光について,筆者の研究を中心に紹介する. γ線やエキシマレーザー光の場合,誘起される欠陥は,ガラス中の不純物やガラス合成条件に強く依存し,前駆体から生じている.一方,イオンビーム照射においては,正常結合からの酸素のノックオンに起因する欠陥生成が起こる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (274K) -
石橋 健二1991 年 60 巻 7 号 p. 712-715
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導体による放射線検出器は高いエネルギー分解能をもつが,極低温を利用した放射線検出器はこれを上回る性能になることが期待されている.その可能性のある方法の一つとして,ニオブ系トンネル接合を用いた準粒子検出法がある.この方法の研究について紹介し,測定原理と特長,トンネル接合の製作方法,X線の実験例,エネルギー分解能の現状と問題点などについて述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2375K) -
森 義治1991 年 60 巻 7 号 p. 716-717
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
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山田 公1991 年 60 巻 7 号 p. 718-719
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
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福澤 文雄1991 年 60 巻 7 号 p. 720-721
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
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榎木 祐嗣1991 年 60 巻 7 号 p. 722-723
発行日: 1991/07/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (187K)
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