太陽光スペクトルより短波長の紫外線 (λ<280nm) を選択する受光素子は,火炎の点滅を検出する火炎センサーとして利用できる,これまでも,光電管式の火炎センサーは,耐熱温度が約100°Cであるにもかかわらず工業炉バーナーなどに使われてきた. GaN系半導体を用いれば,菖温で動作が可能で,量子効率の高い受光素子が巽現でき,小型で簡便な火炎検知システムを提供できる可能性がある.火炎センサーには, (1)PW/cm
2程度の低い照射強度の紫外線に応答する, (2)太陽光へは応答をしないという要件があり,課題として, GaN系材料の結晶性と組成制御技術の改善により,暗電流が低く, 280nm近傍で急竣な吸収端をもつ受光素子を実現する必要がある.
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