O, Si, Fe, Al, Ca, Nなど,地球上に豊富に存在する元素は生態との長い共存の歴史から,地球環境にやさしい材料となっている.残念ながら,現在光デバイスに使われている化合物半導体の多くが,希少元素,したがって環境には必ずしも低負荷とはいえない元素からできている.本稿では, Si基板上にエピタキシャル成長可能でかっ直接遷移型半導体であるといわれている,半導体鉄シリサイド (β-FeSi
2) について,作製方法,光学特性,電気特性などの研究の現状を紹介し,応用を盆めてその将来展望を述べる.
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