本稿では, 300nm帯の高輝度紫外発光累子を実現するためのInAIGaN四元混晶の結晶成長および,それを用いたLEDの作製について概説する.われわれは, AlGaNにInを5%程度含有すると, In成変調効果によって, 300nm帯の紫外領域発光が大幅に増強されることを明らかにした.さまざまな組成のIn
xAl
y Ga
l-x-yN四元混罷を作製し320~380nmの紫外波長で, InGaNの青色発光と同等の高輝度を室温において観測した.また, In
xAl
yGa
l-x-yN四元混晶量子井戸を作製し290~390nmの室温高輝度発光を得た,さらにInAlGaNを活性層に用いたLEDを試作し, 345nmの高輝度発光を得た.これらの結果から, InAlGaN四元混暴は300nm帯紫外高輝度LED, LDの実現に大変有用であると考えられる.
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