RADIOISOTOPES
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59 巻, 7 号
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原著
ノート
技術報告
  • 脳脊髄腔シンチグラフィが有用であった脳脊髄液減少症の2例
    門前 芳夫, 岡崎 肇, 和田崎 晃一, 藤井 貴子, 見田 秀次
    2010 年 59 巻 7 号 p. 429-433
    発行日: 2010年
    公開日: 2010/07/29
    DOIhttps://doi.org/10.3769/radioisotopes.59.429
    ジャーナル オープンアクセス
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    脳脊髄液減少症の診断に脳脊髄腔シンチグラフィが有用であった2例を報告する。症例は，難治性の頭痛を主訴に来院した31歳の男性と34歳の女性である。2例とも頭部造影MRI検査で異常所見を認めなかった。脳脊髄液減少症が疑われたため，脳脊髄腔シンチグラフィを行った。1例は，膀胱の早期描出像，脳脊髄腔内RI残存率の減少を認めた。他の1例は，脳脊髄液漏出像，膀胱の早期描出像，脳脊髄腔内RI残存率の減少がみられ，2例とも脳脊髄液減少症と診断された。臨床的に脳脊髄液減少症が疑われるときは，頭部造影MRI所見が正常であっても脳脊髄腔シンチグラフィは，有用な検査と考える。
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総説
連載講座
中性子回折の基礎と応用(応用16)
中性子回折の基礎と応用(応用17)
  • X線および中性子反射率測定によるシリコンを添加したダイヤモンドライクカーボン薄膜の構造解析
    原田 雅史
    2010 年 59 巻 7 号 p. 451-457
    発行日: 2010年
    公開日: 2010/07/29
    DOIhttps://doi.org/10.3769/radioisotopes.59.451
    ジャーナル オープンアクセス
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    ダイヤモンドライクカーボン(DLC)はダイヤモンドとグラファイトの中間的な性質を持つアモルファス材料である。DLCをコーティングすると低摩擦・低摩耗になることが知られており，シリコンを添加すると特性は向上する。しかし，メカニズムは不明である。そこで，シリコンを添加したDLC(DLC-Si)の薄膜を直流プラズマCVD法でシリコン基板に作製し，摩擦係数と摩耗深さを測定して断面プロファイルを評価する。ボールオンディスク試験により，DLC-Si薄膜の摩擦摩耗特性が向上するのはシリコンの含有量が炭素に対して6～10at.％のときであることが明らかとなった。X線反射率法によりDLC-Siの表面には内部と散乱長密度が異なる層が存在することが見出された。表面層の厚さは20nm程度である。中性子反射率の測定結果からも同様の表面構造が導かれ，組成と密度を算出することができた。散乱長密度が異なる表面層は，シリコンを含まないDLCでは観測されなかったことから，摩擦摩耗特性の向上に寄与していると考えられる。
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